[发明专利]非晶金属薄膜晶体管

权利要求书

1.一种装置，包括：

非导电衬底；

非晶金属栅极；以及

沟道导体。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述非晶金属栅极上的第一隧穿绝缘体。

3.根据权利要求2所述的装置，还包括在所述第一隧穿绝缘体上的源极和漏极，所述源极和漏极与所述非晶金属栅极重叠。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述源极和漏极在所述第一隧穿绝缘体与所述沟道导体之间。

5.根据权利要求2所述的装置，还包括在所述第一隧穿绝缘体和所述沟道导体上的源极和漏极，所述源极和漏极与所述非晶金属栅极重叠。

6.根据权利要求5所述的装置，还包括在所述沟道导体和所述源极和漏极上的第二隧穿绝缘体。

7.一种装置，包括：

非导电衬底；

非晶金属源极；

非晶金属漏极；以及

沟道导体。

8.根据权利要求7所述的装置，还包括在所述非晶金属源极和所述非晶金属漏极上的第一隧穿绝缘体。

9.根据权利要求8所述的装置，还包括在所述第一隧穿绝缘体上的栅极。

10.根据权利要求9所述的装置，还包括在所述非导电衬底与所述沟道导体之间的第二绝缘体。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述第二绝缘体在所述非导电衬底与所述非晶金属源极和非晶金属漏极之间。

12.根据权利要求10所述的装置，其中，所述沟道导体在所述非导电衬底与所述非晶金属源极和非晶金属漏极之间。

13.根据权利要求10所述的装置，其中，所述非晶金属源极和非晶金属漏极在所述非导电衬底与所述沟道导体之间。

14.一种方法，包括：

在非导电衬底上形成非晶金属栅极；以及

形成沟道导体。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：在所述非晶金属栅极上形成第一隧穿绝缘体。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：在所述第一隧穿绝缘体上形成源极和漏极，所述源极和漏极与所述非晶金属栅极重叠。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述沟道导体至少部分地形成在所述源极和漏极上。

18.根据权利要求15所述的方法，还包括：在所述第一隧穿绝缘体和所述沟道导体上形成源极和漏极，所述源极和漏极与所述非晶金属栅极重叠。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括：在所述沟道导体和所述源极和漏极上形成第二隧穿绝缘体。

20.一种方法，包括：

在非导电衬底上形成非晶金属源极；

在所述非导电衬底上形成非晶金属漏极；以及

形成沟道导体。

21.根据权利要求20所述的方法，还包括：在所述非晶金属源极和所述非晶金属漏极上形成第一隧穿绝缘体。

22.根据权利要求21所述的方法，还包括：在所述第一隧穿绝缘体上形成栅极。