[发明专利]在航空航天部件上沉积涂层的方法在审
| 申请号: | 201980020460.1 | 申请日: | 2019-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN111936664A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
| 发明(设计)人: | 尤里·梅尔尼克;苏克蒂·查特吉;考沙尔·冈加什卡尔;乔纳森·弗兰克尔;兰斯·A·斯卡德尔;普拉文·K·纳万克尔;大卫·布里兹;托马斯·奈斯利;马克·沙丽;戴维·汤普森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40;C23C16/34;C23C16/42 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 航空航天 部件 沉积 涂层 方法 | ||
1.一种在航空航天部件上沉积涂层的方法,包含:
将航空航天部件暴露于第一前驱物和第一反应物以通过化学气相沉积(CVD)工艺或第一原子层沉积(ALD)工艺在所述航空航天部件的表面上形成第一沉积层;
将所述航空航天部件暴露于第二前驱物和第二反应物以通过第二ALD工艺在所述第一沉积层上形成第二沉积层,其中所述第一沉积层和所述第二沉积层具有彼此不同的成分。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述第一沉积层是通过ALD工艺形成并且所述方法进一步包含顺序地将所述航空航天部件暴露于所述第一前驱物和所述第一反应物以形成所述第一沉积层。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述第一ALD工艺的每一循环包含将所述航空航天部件暴露于所述第一前驱物,进行抽吸-净化,将所述航空航天部件暴露于所述第一反应物,且进行抽吸-净化;并且每一循环重复从2次至约500次以在形成所述第二沉积层之前形成所述第一沉积层。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述第一沉积层是通过CVD工艺形成并且所述方法进一步包含同时地将所述航空航天部件暴露于所述第一前驱物和所述第一反应物以形成所述第一沉积层。
5.如权利要求1所述的方法,其中所述第一沉积层包含氧化铬、氮化铬、氧化铝或氮化铝,其中所述第二沉积层包含氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化钇、氮化钇、氮化硅钇、氧化铪、氮化铪、硅化铪、硅酸铪、氧化钛、氮化钛、硅化钛、硅酸钛或上述各项的任何组合,且其中如果所述第一沉积层包含氧化铝或氮化铝,那么所述第二沉积层则不包含氧化铝和氮化铝。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述第一前驱物包含铬前驱物或铝前驱物,并且所述第一反应物包含氧化剂、氮化剂或上述各项的组合;且其中所述第二前驱物包含铝前驱物或铪前驱物,并且所述第二反应物包含氧化剂、氮化剂或上述各项的组合。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述第一前驱物或所述第二前驱物包含铝前驱物,并且其中所述铝前驱物包含三(烷基)铝、三(烷氧基)铝、二酮酸铝、上述各项的络合物、上述各项的外展物、上述各项的盐或上述各项的任何组合。
8.如权利要求1所述的方法,其中纳米叠层膜堆叠包含所述第一沉积层和所述第二沉积层,并且所述方法进一步包含在增加所述纳米叠层膜堆叠的厚度的同时沉积从2对至约500对的所述第一沉积层和所述第二沉积层。
9.如权利要求8所述的方法,其中每一对所述第一沉积层和所述第二沉积层具有约0.2nm至约50nm的厚度。
10.如权利要求8所述的方法,进一步包含将所述航空航天部件退火并且将所述纳米叠层膜堆叠转变为聚结膜。
11.如权利要求8所述的方法,其中所述第一沉积层包含氧化铝并且所述第二沉积层包含氧化铪,且其中铪的浓度在所述纳米叠层膜堆叠之内为约0.01at%至约10at%。
12.如权利要求1所述的方法,其中所述航空航天部件是涡轮叶片、涡轮轮叶、支撑构件、框架、肋片、鳍片、柱状鳍片、燃烧器燃料喷嘴、燃烧器护罩、内部冷却通道或上述各项的任何组合。
13.如权利要求1所述的方法,其中所述航空航天部件的所述表面是所述航空航天部件的内表面,且其中所述航空航天部件的所述表面包含镍、镍超合金、铝、铬、铁、钛、铪、上述各项的合金或上述各项的任何组合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980020460.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新型抗EGFR抗体多肽
- 下一篇:JAK抑制剂
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





