[发明专利]光传感器电路、光传感器装置及显示装置在审
申请号: | 201980020363.2 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN111868940A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 津吹将志;纲岛贵德;盐川真里奈 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;G06F3/042;H01L27/146;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 闫剑平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 电路 装置 显示装置 | ||
1.一种光传感器电路,其特征在于,
包含受光晶体管、第1开关晶体管、第2开关晶体管及电容元件,
所述受光晶体管包含:
与第1布线连接的栅极;
与第2布线连接的源极;以及
漏极,
所述第1开关晶体管包含:
与第3布线连接的栅极;
与第4布线连接的源极;以及
与所述受光晶体管的所述漏极连接的漏极,
所述电容元件包含:
与所述受光晶体管的所述漏极连接的第1端子;以及
与所述第1开关晶体管的所述源极连接的第2端子,
所述第2开关晶体管包含:
与栅极线连接的栅极;
与信号线连接的源极;以及
与所述电容元件的所述第1端子连接的漏极,
所述受光晶体管、所述第1开关晶体管及所述第2开关晶体管分别包含氧化物半导体层来作为沟道层。
2.根据权利要求1所述的光传感器电路,其特征在于,包含:
第1期间,在该第1期间内将所述受光晶体管和所述第2开关晶体管设为导通状态,并将所述第1开关晶体管设为关断状态;
第2期间,在所述第1期间后,在该第2期间内将所述受光晶体管和所述第2开关晶体管设为关断状态,并将所述第1开关晶体管设为导通状态;
第3期间,在所述第2期间后,在该第3期间内将所述受光晶体管、所述第1开关晶体管及所述第2开关晶体管设为关断状态,并在所述电容元件中蓄积因光照射产生的电荷;以及
第4期间,在所述第3期间后,在该第4期间内将所述受光晶体管和所述第1开关晶体管设为关断状态,利用所述栅极线将所述第2开关晶体管设为导通状态,并从所述信号线读取所述电容元件中蓄积的所述电荷。
3.根据权利要求2所述的光传感器电路,其特征在于,
具有包含第3开关晶体管的复位电路,
所述第3开关晶体管具有:
与第5布线连接的栅极;
与所述第4布线连接的源极;以及
与所述信号线连接的漏极,
所述第3开关晶体管包含氧化物半导体层来作为沟道层。
4.根据权利要求3所述的光传感器电路,其特征在于,
在所述第1期间中,所述第3开关晶体管成为导通状态。
5.根据权利要求1所述的光传感器电路,其特征在于,
所述受光晶体管、所述第1开关晶体管及所述第2开关晶体管各自的所述栅极设置在相应的晶体管的所述氧化物半导体层的下部和上部中的一方,
所述第1开关晶体管及所述第2开关晶体管分别具有背栅,
所述背栅设置在相应的开关晶体管的所述氧化物半导体层的下部和上部中的另一方。
6.根据权利要求5所述的光传感器电路,其特征在于,
所述背栅与相应的开关晶体管的所述源极连接。
7.根据权利要求3所述的光传感器电路,其特征在于,
所述第3开关晶体管的所述栅极设置在所述第3开关晶体管的所述氧化物半导体层的下部和上部中的一方,
所述第3开关晶体管具有背栅,
所述第3开关晶体管的所述背栅设置在所述第3开关晶体管的所述氧化物半导体层的下部和上部中的另一方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的