[发明专利]用于在进行旋转的机器中测试输出级的电桥的方法

权利要求书

1.一种用于在进行旋转的机器(M)中测试输出级的电桥的方法，所述输出级包括微控制器(μC)、第一桥式电路(B10)和第二桥式电路(B4)，所述方法包括以下方法步骤：

-通过所述微控制器(μC)来确定借助所述输出级的桥式电路运行的机器的转速；并且

-如果所确定的转速未超过预定义的阈值，则执行低速测试，或者如果所确定的转速相应于所述预定义的阈值或超过所述预定义的阈值，则执行对为所述电桥设置的驱动器进行观测。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述低速测试的执行包括以下方法步骤：

-对所述第一桥式电路(B10)的高侧开关进行测试；

-对所述第二桥式电路(B4)的高侧开关进行测试；

-对所述第一桥式电路(B10)的低侧开关进行测试；并且

-对所述第二桥式电路(B4)的低侧开关进行测试。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，在执行所述低速测试之后，还设置对所述为所述电桥设置的驱动器进行通信故障、关断路径和功能的检查。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，对所述为所述电桥设置的驱动器的观测的执行包括以下方法步骤：

-对所述第二桥式电路(B4)的低侧开关进行测试；

-对所述第二桥式电路(B4)的高侧开关进行测试；

-借助转子位置传感装置对所述机器的机器旋转场的电周期的时间进行测量；

-通过所述微控制器(μC)对所述为所述电桥设置的驱动器进行配置。

5.根据权利要求3或权利要求4所述的方法，所述方法还包括以下方法步骤：

-在所述机器(M)的一圈电旋转之内，对所述第一桥式电路(B10)的构造为MOSFET的开关中的每个开关和/或对所述第二桥式电路(B4)的构造为MOSFET的开关中的每个开关进行漏极-源极电压的周期性测量。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在进行测量之后，对关于构造为MOSFET的开关所检测的漏极-源极电压的值进行分析处理。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的方法，其中，通过如下方式以低速测试的形式进行对所述第一桥式电路(B10)的高侧开关的测试和/或对所述第二桥式电路(B4)的高侧开关的测试：借助中间回路电压测量和第一相(X)上的相电压测量来确定差分电压。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的方法，其中，通过如下方式以低速测试的形式进行对所述第一桥式电路(B10)的低侧开关的测试和/或对所述第二桥式电路(B4)的低侧开关的测试：在第二相(U)上施加电流受限制的电压源，从而提高在相(X，U)上的电势。