[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体层；

第一绝缘层；

第二绝缘层；以及

导电层，

其中，所述第一绝缘层与所述半导体层的顶面的一部分接触，

所述导电层位于所述第一绝缘层上，

所述第二绝缘层位于所述半导体层上，

所述半导体层包含金属氧化物，

所述半导体层包括与所述导电层重叠的第一区域及不与所述导电层重叠的第二区域，

所述第二区域与所述第二绝缘层接触，

所述第二绝缘层包含氧及第一元素，

所述第一元素是磷和硼中的任一个以上，

并且，在所述第二绝缘层的厚度方向上，所述第一元素的浓度中的相对于最小值的最大值的比例为1.0以上且10.0以下。

2.一种半导体装置，包括：

半导体层；

第一绝缘层；

第二绝缘层；以及

导电层，

其中，所述第一绝缘层与所述半导体层的顶面及侧面接触，

所述导电层位于所述第一绝缘层上，

所述第二绝缘层位于所述半导体层上，

所述半导体层包含金属氧化物，

所述半导体层包括与所述导电层重叠的第一区域及不与所述导电层重叠的第二区域，

所述第一绝缘层包括与所述导电层重叠的第三区域及不与所述导电层重叠的第四区域，

所述第四区域与所述第二绝缘层接触，

所述第二绝缘层包含氧及第一元素，

所述第一元素是磷和硼中的任一个以上，

并且，在所述第二绝缘层的厚度方向上，所述第一元素的浓度中的相对于最小值的最大值的比例为1.0以上且10.0以下。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第四区域包含所述第一元素。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的半导体装置，其中所述第四区域的厚度薄于所述第三区域的厚度。

5.根据权利要求1至权利要求4中的任一项所述的半导体装置，

其中所述第二绝缘层包括所述第一元素的浓度为1×10²⁰atoms/cm³以上且1×10²²atoms/cm³以下的区域。

6.根据权利要求1至权利要求5中的任一项所述的半导体装置，

其中在X射线光电子能谱分析中，观察到所述第二绝缘层的起因于第一元素和氧的键合的峰。

7.根据权利要求1至权利要求6中的任一项所述的半导体装置，

其中所述第二区域包含所述第一元素。

8.根据权利要求1至权利要求7中的任一项所述的半导体装置，

其中所述第二区域包括所述第一元素的浓度为1×10²⁰atoms/cm³以上且1×10²²atoms/cm³以下的区域。

9.根据权利要求1至权利要求8中的任一项所述的半导体装置，

其中在X射线光电子能谱分析中，观察到所述第二区域的起因于所述第一元素和氧的键合的峰。