[发明专利]成形膜用导电性组合物、成形膜、成形体及其制造方法有效
| 申请号: | 201980019048.8 | 申请日: | 2019-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN111868841B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
| 发明(设计)人: | 戸崎広一;中里睦 | 申请(专利权)人: | 东洋油墨SC控股株式会社;东洋油墨株式会社 |
| 主分类号: | H01B1/20 | 分类号: | H01B1/20;B32B7/025;B32B27/18;H01B1/22;H01B5/14;H05K1/09;H05K3/20 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
| 地址: | 日本东京中央区京桥二丁目2*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成形 导电性 组合 及其 制造 方法 | ||
1.一种成形膜用导电性组合物,含有树脂A、导电性微粒子B、以及溶剂C,其中相对于所述成形膜用导电性组合物的固体成分总量,所述树脂A的含有比例为8质量%以上且40质量%以下,
所述溶剂C在所述溶剂C100质量份中包含40质量份以上的溶剂C',所述溶剂C'满足下述条件1,且满足条件2-1及条件2-2中的至少一者,
条件1:沸点为180℃以上且270℃以下
条件2-1:汉森溶解性参数HSP的极性参数δp为0≦δp≦5.0
条件2-2:汉森溶解性参数HSP的氢键参数δh为9.8≦δh≦24.0,
所述溶剂C'为选自二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇二甲醚、二丙二醇单甲醚乙酸酯、苄醇、四氢萘、二乙二醇单丁醚乙酸酯、萜品醇、甘油三乙酸酯、丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、二丙二醇单丙醚、二乙二醇单丙醚、二丙二醇单甲醚、三丙二醇单甲醚中的一种以上。
2.根据权利要求1所述的成形膜用导电性组合物,其中所述溶剂C'进而满足下述条件2-3,
条件2-3:汉森溶解性参数HSP的分散参数δd为14.0≦δd≦20.0。
3.根据权利要求1或2所述的成形膜用导电性组合物,其中所述导电性微粒子B包含选自银粉、铜粉、银涂粉、铜合金粉、导电性氧化物粉、及碳微粒子中的一种以上的导电性微粒子。
4.根据权利要求1或2所述的成形膜用导电性组合物,其中所述树脂A具有选自羟基、氨基、羧基、及酸酐基中的一种以上的取代基。
5.根据权利要求1或2所述的成形膜用导电性组合物,其中所述树脂A在分子中具有两个以上的选自羟基、氨基、羧基、及酸酐基中的一种以上的反应性官能基,且所述成形膜用导电性组合物进而含有在一分子中具有两个以上的可与所述树脂A具有的反应性官能基进行交联形成的反应性官能基的交联剂D。
6.根据权利要求5所述的成形膜用导电性组合物,其中所述树脂A的重量平均分子量为20,000以上且600,000以下,
所述交联剂D的第二反应性官能基的物质量的总量FD,单位mol,与所述树脂A的质量MA,单位g,的比满足下述式(1),
式(1)5.0×10-5≦FD/MA≦6.0×10-4。
7.一种成形膜,为在基底膜上包括导电层的成形膜,其中
所述导电层为如权利要求1至6中任一项所述的成形膜用导电性组合物的硬化物。
8.根据权利要求7所述的成形膜,其中所述基底膜的软化点温度下的各层的断裂伸长率的关系满足下式:
基底膜的断裂伸长率>导电层的断裂伸长率。
9.一种成形膜,为在基底膜上具有装饰层与导电层的成形膜,其中
所述导电层为如权利要求1至6中任一项所述的成形膜用导电性组合物的硬化物。
10.根据权利要求9所述的成形膜,其中所述基底膜的软化点温度下的各层的断裂伸长率的关系满足下式:
基底膜的断裂伸长率>装饰层的断裂伸长率>导电层的断裂伸长率。
11.根据权利要求7至10中任一项所述的成形膜,其中所述基底膜为选自聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、及聚对苯二甲酸乙二酯中的膜、或者这些的层叠膜。
12.一种成形体,为在基材上层叠有导电层的成形体,其中
所述导电层为如权利要求1至6中任一项所述的成形膜用导电性组合物的硬化物。
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