[发明专利]利用EFG法的单晶生长用的模具、利用EFG法的单晶生长方法及利用EFG法得到的单晶在审
| 申请号： | 201980018372.8 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111836920A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 川崎克己;平林润;藤田实;井之口大辅;有马润;近藤牧雄 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/34 | 分类号： | C30B15/34;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 efg 生长 模具 方法 得到 | ||
1.一种利用EFG法的单晶生长用的模具，其中，
该利用EFG法的单晶生长用的模具具备：
下表面，其浸渍于添加有杂质的原料熔融液中；
矩形状的上表面，其与晶种相对且具有长边和比所述长边短的短边；以及
多个狭缝部，其从所述下表面向所述上表面延伸，且使所述原料熔融液从所述下表面上升至所述上表面，
多个所述狭缝部的所述上表面处的开口部的长边方向各自相互平行，且相对于所述上表面的所述长边不平行。
2.如权利要求1所述的利用EFG法的单晶生长用的模具，其中，
多个所述狭缝部的所述上表面处的所述开口部的所述长边方向各自相对于所述上表面的所述短边平行。
3.如权利要求1或2所述的利用EFG法的单晶生长用的模具，其中，
多个所述狭缝部中的所述上表面处的所述开口部最接近所述上表面的外缘部的所述狭缝部在所述上表面处的所述开口部距所述上表面的外缘部的距离为2mm以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的利用EFG法的单晶生长用的模具，其中，
相互相邻的所述狭缝部的所述上表面处的所述开口部的沿着所述长边方向的中心线彼此的间隔为2mm以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的利用EFG法的单晶生长用的模具，其中，
多个所述狭缝部的所述上表面处的所述开口部的短边方向的长度分别为2mm以下。
6.一种利用EFG法的单晶生长方法，其使用权利要求1至5中任一项所述的利用EFG法的单晶生长用的模具。
7.一种利用EFG法的单晶，其中，
所述单晶通过权利要求6所述的利用EFG法的单晶生长方法而生长得到，且在与单晶的生长方向正交的截面，除距所述截面的外缘部1mm的距离范围以外的区域中的杂质浓度的变动系数为30％以下。
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