[发明专利]氧浓度评价方法

权利要求书

1.一种氧浓度评价方法，其通过光致发光法或阴极射线发光法评价单晶硅中的氧浓度，该氧浓度评价方法的特征在于，

于规定温度下测量对所述单晶硅照射规定照射量的电子束或规定照射量的除碳和氧以外的离子束而形成于所述单晶硅中的间隙碳Ci与间隙氧Oi的复合缺陷Ci-Oi由来的发光线(C线)的强度及间隙碳Ci与代位碳Cs的复合缺陷Ci-Cs由来的发光线(G线)的强度，并求出所述C线与所述G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)，

将所述强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)及所述单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价所述氧浓度[Oi]，

[Oi]＝α·(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)·[Cs]，

其中，α为比例常数。

2.根据权利要求1所述的氧浓度评价方法，其特征在于，在评价所述氧浓度时，预先：

准备试验晶体，所述试验晶体为氧浓度及碳浓度为已知的单晶硅，

于规定温度下测量对所述试验晶体照射所述规定照射量的电子束或所述规定照射量的除碳和氧以外的离子束而形成于所述试验晶体中的C线的强度及G线的强度，并求出所述试验晶体的C线与G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)，

根据所述试验晶体的所述氧浓度及所述碳浓度、所述试验晶体的C线与G线的强度比(Ci-Oi强度/Ci-Cs强度)、以及所述算式，求出所述比例常数α的值。

3.根据权利要求1所述的氧浓度评价方法，其特征在于，在将对所述单晶硅进行照射时的电子束的规定照射量设为1.0×10¹⁵(electrons/cm²)，将测量所述C线的强度及所述G线的强度时的规定温度设为液氦温度，将所述碳浓度的单位设为(atoms/cm³)，将所述氧浓度的单位设为(ppma-JEITA)，并对所述C线强度及所述G线强度取相对值时，

将所述比例常数α的值设为2.25×10^-15。

4.根据权利要求1所述的氧浓度评价方法，其特征在于，在将对所述单晶硅进行照射时的电子束的规定照射量设为1.0×10¹⁵(electrons/cm²)，将测量所述C线的强度及所述G线的强度时的规定温度设为液氮温度，将所述碳浓度的单位设为(atoms/cm³)，将所述氧浓度的单位设为(ppma-JEITA)，并对所述C线强度及所述G线强度取相对值时，

将所述比例常数α的值设为3.55×10^-15。

5.根据权利要求1或2所述的氧浓度评价方法，其特征在于，将对所述单晶硅照射的除碳和氧以外的离子束设为硼、磷、砷、锑、氢、氦、氩、锗、氟、氮、硅、铝、铟、氙中的任一种或多种的离子束。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的氧浓度评价方法，其特征在于，将所述单晶硅中的碳浓度设为1.0×10¹⁴(atoms/cm³)以上。