[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置在审

申请号：	201980017815.1	申请日：	2019-07-09
公开（公告）号：	CN111819665A	公开（公告）日：	2020-10-23
发明（设计）人：	柳泽佑典;泷野裕辅	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/3065	分类号：	H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/768;H05H1/46
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;刘芃茜
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	蚀刻方法装置
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【说明书】：

蚀刻方法包括：在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中被处理体具有：处理对象膜；形成于处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖多个凸部之间露出的处理对象膜及各凸部的第一膜；第一蚀刻步骤，其以使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态对第二膜进行蚀刻；以及第二蚀刻步骤，其在使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态下对第一膜进行蚀刻，由此使各凸部的顶部和多个凸部之间的处理对象膜露出。

技术领域

本发明涉及蚀刻方法和蚀刻装置。

背景技术

一直以来，作为通过蚀刻进行的图案化技术，已知有自对准型多重图案(SAMP：Self-Aligned Multi Patterning)。在SAMP中，例如使用具有处理对象膜、芯层(mandrellayer)和间隔膜的晶片，其中该芯层形成于处理对象膜上并由多个凸部构成，该间隔膜覆盖多个凸部之间露出的处理对象膜和各凸部。在SAMP中，首先，对间隔膜实施蚀刻使芯层的各凸部和多个凸部之间的处理对象膜露出。接着，在SAMP中，将露出的芯层的各凸部选择性地除去。之后，在SAMP中，将残存的间隔膜作为掩模对处理对象膜进行蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-099938号公报

专利文献2：日本特开2012-178378号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够改善掩模的肩部部分的形状的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一方式的蚀刻方法包括：在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中上述被处理体具有：处理对象膜；形成于上述处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖上述多个凸部之间露出的上述处理对象膜及各上述凸部的第一膜；第一蚀刻步骤，其以使上述第二膜残存于上述第一膜中覆盖各上述凸部的侧面的部分的状态对上述第二膜进行蚀刻；以及第二蚀刻步骤，其在使上述第二膜残存于上述第一膜中覆盖各上述凸部的侧面的部分的状态下对上述第一膜进行蚀刻，由此使各上述凸部的顶部和上述多个凸部之间的上述处理对象膜露出。

发明效果

依照本发明，起到能够改善掩模的肩部部分的形状这样的效果。

附图说明

图1是表示一实施方式的蚀刻装置的概要的一例的截面图。

图2是表示隙缝板的一例的平面图。

图3是表示电介质窗的一例的平面图。

图4是图3的A-A截面图。

图5是表示在图3所示的电介质窗上设置有图2所示的隙缝板的状态的平面图。

图6是表示一实施方式中的晶片结构的一例的截面图。

图7是表示一实施方式的蚀刻方法的处理流程的一例的流程图。

图8A是用于说明一实施方式的蚀刻方法的处理流程的一例的图。

图8B是用于说明一实施方式的蚀刻方法的处理流程的一例的图。