[发明专利]包含高分子和金属微粒的非电解镀基底剂在审
| 申请号: | 201980017041.2 | 申请日: | 2019-02-22 |
| 公开(公告)号: | CN111868302A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
| 发明(设计)人: | 星野有辉;森元雄大 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
| 主分类号: | C23C18/28 | 分类号: | C23C18/28;C08F220/00;C08F226/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 马妮楠;段承恩 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包含 高分子 金属 微粒 电解 基底 | ||
1.一种基底剂,是用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜的非电解镀基底剂,其包含:
(A)共聚物,所述共聚物包含来源于分子内具有金属分散性基和1个自由基聚合性双键的单体a的结构单元、和来源于分子内具有非自由基聚合性的交联性基和1个自由基聚合性双键的单体b的结构单元,其中,该共聚物不包括共聚物(A1),所述共聚物(A1)包含来源于分子内具有金属分散性基和1个以上自由基聚合性双键的单体c的结构单元、和来源于分子内具有2个以上自由基聚合性双键的单体d的结构单元;
(B)金属微粒;
(C)交联剂;以及
(D)溶剂。
2.根据权利要求1所述的基底剂,其包含所述(B)金属微粒附着或配位于所述(A)共聚物中的金属分散性基而成的复合体。
3.根据权利要求1或2所述的基底剂,所述单体a为具有乙烯基和(甲基)丙烯酰基中的任一者的化合物。
4.根据权利要求3所述的基底剂,所述单体a为N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基乙酰胺、N-乙烯基甲酰胺。
5.根据权利要求1或2所述的基底剂,所述单体b为具有乙烯基和(甲基)丙烯酰基中的任一者的化合物。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的基底剂,用于获得所述(A)共聚物的单体包含相对于所述单体a的摩尔数为5~500摩尔%的量的所述单体b。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的基底剂,所述(B)金属微粒为选自铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、锡(Sn)、铂(Pt)和金(Au)中的至少一种金属的微粒。
8.根据权利要求7所述的基底剂,所述(B)金属微粒为钯微粒。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的基底剂,所述(B)金属微粒是平均粒径为1~100nm的微粒。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的基底剂,其进一步含有(E)具有非自由基聚合性交联性基的基础树脂。
11.一种非电解金属镀的基底层,其是使用权利要求1~10中任一项所述的非电解镀基底剂而获得的。
12.一种金属镀膜,其形成在权利要求11所述的非电解金属镀的基底层上。
13.一种金属被膜基材,其具备:基材;形成在该基材上的权利要求11所述的非电解金属镀的基底层;以及形成在该非电解金属镀的基底层上的金属镀膜。
14.一种金属被膜基材的制造方法,其包含下述(1)工序和(2)工序,
(1)工序:将权利要求1~10中任一项所述的非电解镀基底剂涂布在基材上,从而在该基材上具备非电解金属镀的基底层的工序;
(2)工序:将具备该基底层的基材浸渍在非电解镀浴中,从而在该基底层上形成金属镀膜的工序。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理





