[发明专利]包含高分子和金属微粒的非电解镀基底剂在审

专利信息
申请号: 201980017041.2 申请日: 2019-02-22
公开(公告)号: CN111868302A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 星野有辉;森元雄大 申请(专利权)人: 日产化学株式会社
主分类号: C23C18/28 分类号: C23C18/28;C08F220/00;C08F226/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 马妮楠;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包含 高分子 金属 微粒 电解 基底
【权利要求书】:

1.一种基底剂,是用于通过非电解镀处理在基材上形成金属镀膜的非电解镀基底剂,其包含:

(A)共聚物,所述共聚物包含来源于分子内具有金属分散性基和1个自由基聚合性双键的单体a的结构单元、和来源于分子内具有非自由基聚合性的交联性基和1个自由基聚合性双键的单体b的结构单元,其中,该共聚物不包括共聚物(A1),所述共聚物(A1)包含来源于分子内具有金属分散性基和1个以上自由基聚合性双键的单体c的结构单元、和来源于分子内具有2个以上自由基聚合性双键的单体d的结构单元;

(B)金属微粒;

(C)交联剂;以及

(D)溶剂。

2.根据权利要求1所述的基底剂,其包含所述(B)金属微粒附着或配位于所述(A)共聚物中的金属分散性基而成的复合体。

3.根据权利要求1或2所述的基底剂,所述单体a为具有乙烯基和(甲基)丙烯酰基中的任一者的化合物。

4.根据权利要求3所述的基底剂,所述单体a为N-乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基乙酰胺、N-乙烯基甲酰胺。

5.根据权利要求1或2所述的基底剂,所述单体b为具有乙烯基和(甲基)丙烯酰基中的任一者的化合物。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的基底剂,用于获得所述(A)共聚物的单体包含相对于所述单体a的摩尔数为5~500摩尔%的量的所述单体b。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的基底剂,所述(B)金属微粒为选自铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、锡(Sn)、铂(Pt)和金(Au)中的至少一种金属的微粒。

8.根据权利要求7所述的基底剂,所述(B)金属微粒为钯微粒。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的基底剂,所述(B)金属微粒是平均粒径为1~100nm的微粒。

10.根据权利要求1~9中任一项所述的基底剂,其进一步含有(E)具有非自由基聚合性交联性基的基础树脂。

11.一种非电解金属镀的基底层,其是使用权利要求1~10中任一项所述的非电解镀基底剂而获得的。

12.一种金属镀膜,其形成在权利要求11所述的非电解金属镀的基底层上。

13.一种金属被膜基材,其具备:基材;形成在该基材上的权利要求11所述的非电解金属镀的基底层;以及形成在该非电解金属镀的基底层上的金属镀膜。

14.一种金属被膜基材的制造方法,其包含下述(1)工序和(2)工序,

(1)工序:将权利要求1~10中任一项所述的非电解镀基底剂涂布在基材上,从而在该基材上具备非电解金属镀的基底层的工序;

(2)工序:将具备该基底层的基材浸渍在非电解镀浴中,从而在该基底层上形成金属镀膜的工序。

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