[发明专利]半导体装置、电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1导电类型的半导体层(1、2、2Y)；

上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z)，形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少表层；以及

上表面电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y)，至少覆盖所述上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z)地形成，

所述上表面电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y、10、10Y)具备：

第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)，形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少上表面；以及

第2电极(10、10Y)，覆盖所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面地形成，

在所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面形成至少1个第1凹部(8、8Y)，

所述第1凹部(8、8Y)的侧面是锥形形状，

所述第2电极(10、10Y)覆盖包括所述第1凹部(8、8Y)内的所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面地形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备第2凹部(15)，该第2凹部(15)形成于包括所述第1凹部(8、8Y)内的所述第1电极(7A、7G)的上表面，并且宽度比所述第1凹部(8、8Y)窄。

3.一种半导体装置，具备：

第1导电类型的半导体层(1、2、2Y)；

上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z)，形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少表层；以及

上表面电极(7A、7G、10、10Y)，至少覆盖所述上表面构造(3、3Y、4、4Y、5、5Y、6、6Y、20、20W、20Y、20Z)地形成，

所述上表面电极(7A、7G、10、10Y)具备：

第1电极(7A、7G)，形成于所述半导体层(1、2、2Y)的至少上表面；以及

第2电极(10、10Y)，覆盖所述第1电极(7A、7G)的上表面地形成，

在所述第1电极(7A、7G)的上表面形成至少1个第1凹部(8、8Y)和宽度比所述第1凹部(8、8Y)窄的至少1个第2凹部(15)，

所述第2电极(10、10Y)覆盖包括所述第1凹部(8、8Y)和所述第2凹部(15)的所述第1电极(7A、7G)的上表面地形成。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第1凹部(8、8Y)的侧面与所述半导体层(1、2、2Y)的上表面之间的角度是5°以上。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第1凹部(8、8Y)的侧面与所述半导体层(1、2、2Y)的上表面之间的角度是60°以下。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第1凹部(8、8Y)在所述第1电极(7、7A、7E、7F、7G、7Y)的上表面形成100个以上。

7.根据权利要求2至6中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第2凹部(15)形成于所述第1凹部(8、8Y)内的斜面。

8.根据权利要求2至7中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第2凹部(15)针对每1μm²配置1个以上。

9.根据权利要求2至8中的任意一项所述的半导体装置，其中，

所述第1凹部(8、8Y)的宽度是0.1μm以上，所述第2凹部(15)的宽度小于0.1μm。