[发明专利]载置台及电极部件在审
申请号: | 201980016960.8 | 申请日: | 2019-07-08 |
公开(公告)号: | CN111801779A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 林大辅;石川真矢 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23C14/50;C23C16/458;C23C16/46;H01L21/683 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载置台 电极 部件 | ||
提供一种载置台,其用于放置被处理体及边缘环,该载置台包括:第一流路和第二流路,用于使流体在所述载置台的内部流动;分岔部,将所述第一流路的入口与所述第二流路的入口连接;汇合部,将所述第一流路的出口与所述第二流路的出口连接;以及部件,设置在所述分岔部或所述汇合部中的至少任意一者处,并且具有与所述第一流路和所述第二流路连通的开口部。
技术领域
本公开涉及一种载置台及电极部件。
背景技术
在专利文献1中,通过设置在流路配管中的开闭阀的操作来对载置台内的流路进行切换。在专利文献2中,对在载置台内的中央部和外周部的流路中流动的热介质的量或混合比进行控制。在该些文献中,提出了对放置在载置台上的晶圆的载置面的中央部和周边部的温度进行控制的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:(日本)特开2006-286733号公报
专利文献2:(日本)特开2009-117443号公报
发明内容
本发明要解决的问题
本公开提供一种技术,其能够在用于放置被处理体及边缘环的载置台上对散热量进行调整。
用于解决问题的手段
根据本公开的一个实施方式,提供一种载置台,其用于放置被处理体及边缘环,该载置台包括:第一流路和第二流路,用于使流体在所述载置台的内部流动;分岔部,将所述第一流路的入口与所述第二流路的入口连接;汇合部,将所述第一流路的出口与所述第二流路的出口连接;以及部件,设置在所述分岔部或所述汇合部中的至少任意一者处,并且具有与所述第一流路和所述第二流路连通的开口部。
发明的效果
根据一个方面,能够在用于放置被处理体及边缘环的载置台上对散热量进行调整。
附图说明
图1是示出根据一个实施方式的包括载置台的基板处理装置的一个示例的图。
图2是示出根据一个实施方式的载置台的流路的一个示例的图。
图3是示出根据一个实施方式的微调部件及粗调部件的布置的一个示例的图。
图4是示出根据一个实施方式的微调部件的一个示例的图。
图5是示出根据一个实施方式的粗调部件的一个示例的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本公开的实施方式中进行说明。需要说明的是,在本说明书及附图中,针对实质上相同的构成部分赋予相同的符号并省略重复的说明。
[基板处理装置的整体结构]
首先,参照图1对基板处理装置1的整体结构的一个示例进行说明。图1是示出根据一个实施方式的基板处理装置1的概要结构的剖面图。需要说明的是,在本实施方式中,以基板处理装置1为RIE(反应性离子蚀刻)型的基板处理装置作为示例进行说明。但是,基板处理装置1也可以是等离子体蚀刻装置或等离子体CVD(化学气相沉积)装置等。
在图1中,基板处理装置1具有接地的圆筒形的处理容器10,该处理容器10由金属制成,例如由铝或不锈钢制成。在该处理容器10的内部布置有用于放置晶圆W的圆板形的载置台11。载置台11具有基台11a和静电卡盘25。静电卡盘25布置在基台11a的上部。基台11a例如由铝制成,并且经由绝缘性的筒形保持部件12由筒形支撑部13支撑,该筒形支撑部13从处理容器10的底部垂直地向上方延伸。
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