[发明专利]一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法、由此得到的聚硅氧烷粉体填料及其应用

权利要求书

1.一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，提供包括至少60wt%的T单位的聚硅氧烷，其中，T单位=R₁SiO₃-，R₁为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基；以及

S2，在惰性气体氛围或真空条件下，对该聚硅氧烷进行热处理，热处理温度为430度以上至700度以下，以使得聚硅氧烷中的硅羟基发生缩合并同时避免有机基氧化分解形成极性基团以得到真密度大于等于1.34g/cm³的聚硅氧烷粉体填料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，通过甲基三氯硅烷和水反应来提供聚硅氧烷。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，聚硅氧烷包括99%-100%的T单位。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该R₁为甲基。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该制备方法还包括加入处理剂对聚硅氧烷粉体填料进行表面处理，该处理剂包括硅烷偶联剂和/或二硅氮烷；该硅烷偶联剂为(R₇)_a(R₈)_bSi(M)_4-a-b，R₇，R₈为可独立选择的碳原子1至18的烃基、氢原子、或被官能团置换的碳原子1至18的烃基，该官能团选自由以下有机官能团组成的组中的至少一种：乙烯基，烯丙基，苯乙烯基，环氧基，脂肪族氨基，芳香族氨基，甲基丙烯酰氧丙基，丙烯酰氧丙基，脲基丙基，氯丙基，巯基丙基，聚硫化物基，异氰酸酯丙基；M为碳原子1至18的烃氧基或卤素原子，a＝0、1、2或3，b＝0、1、2或3，a+b＝1、2或3；该二硅氮烷为（R₉R₁₀R₁₁）SiNHSi（R₁₂R₁₃R₁₄），R₉，R₁₀，R₁₁，R₁₂，R₁₃，R₁₄为可独立选择的碳原子1至18的烃基或氢原子。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该制备方法包括使用干法或湿法的筛分或惯性分级来除去聚硅氧烷粉体填料中的1、3、5、10、20、45、55、或75微米以上的粗大颗粒。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法得到的聚硅氧烷粉体填料，其特征在于，该聚硅氧烷粉体填料的粒径为0.1-50微米。

8.根据权利要求7所述的聚硅氧烷粉体填料的应用，其特征在于，不同粒径的聚硅氧烷粉体填料紧密填充级配在树脂中形成复合材料。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，该复合材料适用于半导体封装材料、电路板及其中间半成品、高频高速电路板的半固化片或覆铜板。