[发明专利]具有用于分子识别的纳米孔的隧道结的制造

权利要求书

1.一种制造用于对分子进行分析的系统的方法，所述方法包括：

在基底的表面上沉积第一导电材料以形成具有非竖直侧壁的第一电极，所述第一电极具有第一纵向轴线，其中，第一平面包括第一纵向轴线并且正交于所述基底的表面；

在所述第一电极上形成绝缘层；

在所述绝缘层上沉积第二导电材料以形成具有非竖直侧壁的第二电极，所述第二电极具有第二纵向轴线，其中，第二平面包括所述第二纵向轴线并且正交于所述基底的表面，并且其中，所述第一平面和所述第二平面以非零度角度相交；以及

在所述基底、所述第一电极、所述绝缘层和所述第二电极中限定孔口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述绝缘层包括：

在所述第一电极上沉积第一绝缘材料至第一厚度，

在所述第一绝缘材料中限定第一过孔以暴露所述第一电极的顶表面的一部分，

在所述第一绝缘材料上沉积第二绝缘材料至第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度，

在所述第一电极的所述顶表面的所述部分上沉积所述第二绝缘材料以限定第二过孔，

其中：

限定所述孔口包括去除限定所述第二过孔的底表面的一部分的材料，以及

所述孔口被限定在所述第二绝缘材料中且不在所述第一绝缘材料中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

通过偏置的靶沉积来沉积所述第一导电材料，并且

限定所述第一过孔包括使用电子束光刻以及湿法蚀刻所述第一绝缘材料来进行图案化。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非零度角度为从85度至95度。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在沉积所述第一导电材料之前形成第一抗蚀剂层，

在所述第一抗蚀剂层中限定第一沟槽，所述第一沟槽在所述第一沟槽的底部处具有第一宽度并且在所述第一沟槽的顶部处具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，

在沉积所述第一导电材料之后，去除所述第一抗蚀剂层，

其中：

沉积所述第一导电材料包括在旋转所述基底的同时以非垂直角度沉积所述第一导电材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述非垂直角度为从40度至50度。

7.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述第一宽度从所述第一沟槽的端部沿着所述第一纵向轴线减小，并且

所述第二宽度从所述第一沟槽的端部沿着所述第一纵向轴线减小。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一电极从所述第一电极的端部沿着所述第一纵向轴线在宽度和厚度上逐渐减小。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在沉积所述第二导电材料之前形成第一抗蚀剂层，

在所述第一抗蚀剂层中限定第一沟槽，所述第一沟槽在所述第一沟槽的底部处具有第一宽度并且在所述第一沟槽的顶部处具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度，

在沉积所述第二导电材料之后去除所述第一抗蚀剂层，其中：

沉积所述第二导电材料包括在旋转所述基底的同时以非垂直角度沉积所述第二导电材料。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将所述第一电极或所述第二电极中的至少一者连接到电源，以及

将所述第一电极或所述第二电极中的至少一者连接到电气仪表。