[发明专利]利用环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块以及点状蚀刻模块的蚀刻轮廓的控制方法

说明书

公开了一种利用环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块。利用所述环形沿面放电等离子装置的点状蚀刻模块，包括：板状的电介质；圆形电极，与所述电介质的上面接触配置；环形电极，与所述电介质的下面接触配置，并提供用于容纳气体的气体容纳空间；以及供电部，用于向所述圆形电极和环形电极之间施加高电压，施加高电压而开始放电时，从在所述环形电极的内侧面和所述电介质的下面之间向所述环形电极的中心方向展开的等离子向待处理基板的方向照射丝状等离子。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻模块，更详细而言，涉及一种可以利用环形沿面放电等离子装置照射丝状等离子的点状蚀刻模块。

背景技术

一般，在半导体的制造中，通过在晶片表面上反复进行薄膜的淀积、蚀刻及离子注入来形成具有所需的电路动作特性的半导体器件。

蚀刻工作是选择性地去除所淀积的薄膜的工作，分为利用溶液进行蚀刻的湿法蚀刻和利用反应气体进行蚀刻的干法蚀刻。

尤其，根据为了电离反应气体而产生的等离子的产生方式，干法蚀刻有等离子蚀刻(Plasma etching)、反应性离子蚀刻(Reactive ion etching)、磁增强反应离子蚀刻(Magnetically enhanced reactive ion etching)等方式。

此处，等离子蚀刻是将反应气体放入两个电极之间并形成强电场以使气体电离，然后，将电离的反应气体加速至晶片的表面而选择性地去除所淀积的薄膜的方式。

在用于这种等离子蚀刻的等离子蚀刻装置中，被流入至处理室的反应气体被在处理室上方的RF电极板和处理室下方的阴极板之间产生的等离子电离，并使电离的反应气体加速至晶片的表面而选择性地去除所淀积的薄膜的装置。

在此，为了提高蚀刻效率，被等离子电离的反应气体必须集中到晶片上，为此，现有的等离子蚀刻装置必须需要将反应气体集中在晶片上的聚焦环。因此，现有的等离子蚀刻装置存在在没有所述聚焦环的情况下难以局部蚀刻晶片表面的问题。

一方面，具有高温、高压、高频、耐辐射性、耐磨性及耐腐蚀性的碳化硅(Siliconcarbide，SiC)作为下一代半导体正在迅速发展。

尤其，SiC与Si相比共振频率(600MHz)优异，并且在生物体和高温下非常稳定，因此，不仅在汽车、船舶、航空航天工业等极端环境，还可以作为下一代RF和生物机械微机电系统(MEMS)备受瞩目。

然而，SiC具有热化学稳定性高而难以进行微细加工的问题。

发明内容

因此，本发明所要解决的课题在于，提供一种点状蚀刻模块，所述点状蚀刻模块通过环形沿面放电等离子装置产生丝状等离子，可以精密地处理待处理基板的表面。

为解决所述课题的根据本发明的一实施例的点状蚀刻模块，其中，包括：板状电介质；圆形电极，与所述电介质的上面面接触配置；环形电极，与所述电介质的下面面接触配置，提供用于容纳气体的气体容纳空间；以及供电部，用于向所述圆形电极和环形电极之间施加高电压，当施加高电压而开始放电时，从在所述环形电极的内侧面与所述电介质的下面之间向所述环形电极的中心方向展开的等离子向待处理基板的方向照射丝状等离子。

作为一实施例，所述圆形电极具有小于所述环形电极的内径的直径。

作为一实施例，所述圆形电极的直径和所述环形电极的内径的比率可为8:18以下。

作为一实施例，所述圆形电极的直径Re和所述环形电极的内径Se之差可为20mm以下。

作为一实施例，所述气体包括用于开始放电的放电气体，所述放电气体可为选自由氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)及氙(Xe)而组成的组中的至少一个。