[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法在审
| 申请号: | 201980016348.0 | 申请日: | 2019-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN112352327A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
| 发明(设计)人: | 大冈青日;中尾英之;藤永贤治 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 于丽 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电 转换 元件 以及 制造 方法 | ||
1.一种光电转换元件,具备:
基板;
第1光电转换部,具备配置于所述基板上的第1基板电极、配置于所述第1基板电极上的第1活性层和配置于所述第1活性层上的第1对置电极;
第2光电转换部,具备在所述基板上与所述第1基板电极邻接地配置且与所述第1基板电极分离的第2基板电极、配置于所述第2基板电极上的第2活性层和配置于所述第2活性层上的第2对置电极;以及
连接部,具备从表面贯穿所述第2活性层而使所述第2基板电极的表面从所述第2活性层暴露的槽和由被嵌入所述槽的所述第1对置电极的一部分构成的导电部,该连接部经由所述导电部将所述第1对置电极与所述第2基板电极电连接,
其中,所述第2活性层由组成式:AαBXχ表示,A为一价阳离子,B为二价阳离子,X为一价卤素离子,
所述第2活性层具有:第1化合物层,包含满足0.95≤α且2.95≤χ的第1化合物;以及第2化合物层,配置于所述第1化合物层与所述第2基板电极之间,包含满足α<0.95且χ<2.95的第2化合物。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述第2化合物满足0<α<0.95且2<χ<2.95。
3.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述基板包含从由聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、液晶聚合物构成的组中选择的至少一种有机材料。
4.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述第2基板电极包含从由氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡、掺氟氧化锡、掺镓氧化锌、掺铝氧化锌、铟-锌氧化物及铟-镓-锌氧化物构成的组中选择的至少一种导电性金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,
所述第1光电转换部具备第1中间层,该第1中间层被配置于所述第1活性层与所述第1基板电极之间,
所述第2光电转换部具备第2中间层,该第2中间层被配置于所述第2活性层与所述第2基板电极之间。
6.一种光电转换元件的制造方法,具备:
在基板上形成第1基板电极及第2基板电极的工序;
在所述第1基板电极及第2基板电极上分别形成第1活性层及第2活性层的工序;
形成从表面贯穿所述第2活性层而使所述第2基板电极的表面从第2活性层暴露的槽的工序;以及
在所述第1活性层及第2活性层上分别形成第1对置电极及第2对置电极,并且形成由被嵌入所述槽的所述第1对置电极的一部分构成的导电部来将所述第1对置电极与所述第2基板电极电连接的工序,
其中,所述第2活性层由组成式:AαBXχ表示,A为一价阳离子,B为二价阳离子,X为一价卤素离子,
所述第2活性层具有:第1化合物层,包含满足0.95≤α且2.95≤χ的第1化合物;以及第2化合物层,被配置于所述第1化合物层与所述第2基板电极之间,包含满足α<0.95且χ<2.95的第2化合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





