[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201980016348.0 申请日: 2019-03-19
公开(公告)号: CN112352327A 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 大冈青日;中尾英之;藤永贤治 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 于丽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光电 转换 元件 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光电转换元件,具备:

基板;

第1光电转换部,具备配置于所述基板上的第1基板电极、配置于所述第1基板电极上的第1活性层和配置于所述第1活性层上的第1对置电极;

第2光电转换部,具备在所述基板上与所述第1基板电极邻接地配置且与所述第1基板电极分离的第2基板电极、配置于所述第2基板电极上的第2活性层和配置于所述第2活性层上的第2对置电极;以及

连接部,具备从表面贯穿所述第2活性层而使所述第2基板电极的表面从所述第2活性层暴露的槽和由被嵌入所述槽的所述第1对置电极的一部分构成的导电部,该连接部经由所述导电部将所述第1对置电极与所述第2基板电极电连接,

其中,所述第2活性层由组成式:AαBXχ表示,A为一价阳离子,B为二价阳离子,X为一价卤素离子,

所述第2活性层具有:第1化合物层,包含满足0.95≤α且2.95≤χ的第1化合物;以及第2化合物层,配置于所述第1化合物层与所述第2基板电极之间,包含满足α<0.95且χ<2.95的第2化合物。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,

所述第2化合物满足0<α<0.95且2<χ<2.95。

3.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,

所述基板包含从由聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、液晶聚合物构成的组中选择的至少一种有机材料。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,

所述第2基板电极包含从由氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化铟锡、掺氟氧化锡、掺镓氧化锌、掺铝氧化锌、铟-锌氧化物及铟-镓-锌氧化物构成的组中选择的至少一种导电性金属氧化物。

5.根据权利要求1所述的光电转换元件,其中,

所述第1光电转换部具备第1中间层,该第1中间层被配置于所述第1活性层与所述第1基板电极之间,

所述第2光电转换部具备第2中间层,该第2中间层被配置于所述第2活性层与所述第2基板电极之间。

6.一种光电转换元件的制造方法,具备:

在基板上形成第1基板电极及第2基板电极的工序;

在所述第1基板电极及第2基板电极上分别形成第1活性层及第2活性层的工序;

形成从表面贯穿所述第2活性层而使所述第2基板电极的表面从第2活性层暴露的槽的工序;以及

在所述第1活性层及第2活性层上分别形成第1对置电极及第2对置电极,并且形成由被嵌入所述槽的所述第1对置电极的一部分构成的导电部来将所述第1对置电极与所述第2基板电极电连接的工序,

其中,所述第2活性层由组成式:AαBXχ表示,A为一价阳离子,B为二价阳离子,X为一价卤素离子,

所述第2活性层具有:第1化合物层,包含满足0.95≤α且2.95≤χ的第1化合物;以及第2化合物层,被配置于所述第1化合物层与所述第2基板电极之间,包含满足α<0.95且χ<2.95的第2化合物。

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