[发明专利]具有电平移位器的集成电路

权利要求书

1.一种半导体管芯，包括：

电平移位器，其耦合到正差分输入并且耦合到负差分输入，所述电平移位器包括第一运算放大器，其中所述第一运算放大器被配置为在内部共模电压感测节点处生成与所述正差分输入和所述负差分输入的输入共模电压无关的内部共模电压，并且其中所述内部共模电压感测节点耦合到正差分输出并且耦合到负差分输出；

正交流耦合前馈路径，即正AC耦合前馈路径，其包括耦合到所述正差分输入并且耦合到所述正差分输出的第一电容器；

负AC耦合前馈路径，其包括耦合到所述负差分输入并且耦合到所述负差分输出的第二电容器；

正直流前馈路径，即正DC前馈路径，其耦合到所述差分输入，耦合到所述内部共模电压感测节点，并且耦合到所述正差分输出；以及

负AC前馈路径，其耦合到所述差分输入，耦合到所述内部共模电压感测节点，并且耦合到所述负差分输出。

2.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中所述电平移位器包括：

第三电阻器、第四电阻器、第五电阻器和第六电阻器，其串联耦合在经耦合以接收所述正差分输入的第一节点和经耦合以接收所述负差分输入的第二节点之间；

第一跨导体，其耦合到连接所述第三电阻器和所述第四电阻器的第三节点，并且由所述运算放大器的输出控制；以及

第二跨导体，其耦合到连接所述第五电阻器和所述第六电阻器的第四节点，并且由所述第一运算放大器的所述输出控制。

3.根据权利要求2所述的半导体管芯，其中所述内部共模电压感测节点是将所述第四电阻器连接到所述第五电阻器的第五节点。

4.根据权利要求2所述的半导体管芯，其中所述第一跨导体和所述第二跨导体是金属氧化物半导体场效应晶体管即MOSFET。

5.根据权利要求2所述的半导体管芯，其中

所述正DC前馈路径包括：所述第三电阻器、第七电阻器和第二运算放大器，所述第二运算放大器被配置为缓冲放大器，所述缓冲放大器具有耦合到所述第七电阻器的第一引线的输出并且具有耦合到所述第三节点的正输入，所述第七电阻器具有耦合到所述正差分输出的第二引线，并且

所述负DC前馈路径包括：所述第六电阻器、第八电阻器和第三运算放大器，所述第三运算放大器被配置为缓冲放大器，所述缓冲放大器具有耦合到所述第八电阻器的第一引线的输出并且具有耦合到所述第四节点的正输入，所述第八电阻器具有耦合到所述负差分输出的第二引线。

6.根据权利要求1所述的半导体管芯，其中半导体管芯被配置为向所述正差分输入呈现约50欧姆的输入阻抗，并且向所述负差分输入呈现约50欧姆的输入阻抗。

7.根据权利要求1所述的半导体管芯，还包括输入共模电压基准，其被配置为建立所述半导体管芯的输入共模电压。

8.一种半导体管芯，包括：

差分输入调节级，其包括：

差分输入，其被配置为提供预定输入阻抗并且提供预定输入共模电压，电平移位器，其耦合到所述差分输入并且被配置为在内部共模电压感测节点处生成独立于所述预定输入共模电压的内部共模电压，

正交流耦合前馈路径，即正AC耦合前馈路径，其具有耦合到所述差分输入并且耦合到所述差分输入调节级的正差分输出的第一电容器，

负AC耦合前馈路径，其具有耦合到所述差分输入并且耦合到所述差分输入调节级的负差分输出的第二电容器，

正直流前馈路径，即正DC前馈路径，其耦合到所述差分输入，耦合到所述内部共模电压感测节点，并且耦合到所述差分输入调节级的所述正差分输出，以及

负DC前馈路径，其耦合到所述差分输入，耦合到所述内部共模电压感测节点，并且耦合到所述差分输入调节级的所述负差分输出，以及

数据通信处理电路，其耦合到所述正差分输出，耦合到所述差分输入调节级的所述负差分输出并且被配置为输出数据通信信号。