[发明专利]发光元件、光源装置以及投影仪有效

专利信息
申请号: 201980016125.4 申请日: 2019-01-17
公开(公告)号: CN111788521B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 森田博纪;小林出志 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G03B21/14 分类号: G03B21/14;G03B21/20;G02B5/02
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 王玉双
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 元件 光源 装置 以及 投影仪
【说明书】:

本发明的目的在于提供一种能够进一步抑制发光区域的扩展并进一步提高指向性的发光元件。发光元件至少包括荧光体层(1002)和发射以预定角度入射的光的发射角选择层(1001)。荧光体层(1002)包括荧光体(500)和光散射体(600)。荧光体层(1002)和发射角选择层(1001)依次排列。

技术领域

本技术涉及发光元件、光源装置以及投影仪。

背景技术

近年来,在诸如照明器具、显示器、投影仪等的各种光学装置的应用中,有需求高效地向需要的方向发光。

例如,提出了一种光学装置,其包括多个包含金属并以二维周期性阵列形成的纳米结构,以及发射波长不同于激发光的波长的光的波长转换层,并且在纳米结构中,在平行于激发光入射在其上的入射表面的预定第一方向上的长度(例如,长边长度)与在平行于入射表面并垂直于第一方向的第二方向上的长度(短边长度)彼此不同(参见专利文献1)。

此外,例如,提出了一种发光元件,其包括光致发光层、透光层和周期性结构,其中,周期性结构包括多个凸部或多个凹部中的至少一个,由光致发光层发射的光包括空气中波长为λa的第一光,保持λa/nwav-a<Dint<λa的关系,其中Dint表示相邻凸部或凹部之间的距离,nwav-a表示光致发光层对于第一光的折射率,并且经由周期性结构在垂直于光致发光层的方向上发射的光的光谱中强度处于其峰值处的波长A偏离包含在光致发光层中的光致发光材料的发光光谱中强度处于其峰值处的波长B(参见专利文献2)。

此外,例如,提出了一种光学装置,其包括利用入射光引起荧光发生的荧光体层、利用荧光激发第一表面等离子体激元的等离子体激元激发层(荧光体层和等离子体激元激发层以该顺序层叠)、以及出射部,该出射部将第一表面等离子体激元或者在等离子体激元激发层的与接触荧光体层的表面相对的表面上发生的光作为发射光向外部发射,其中荧光体层包含利用入射光激发第二表面等离子体激元的细小金属颗粒(参见专利文献3)。

引文清单

专利文献

专利文献1:日本专利申请公开No.2017-157488

专利文献2:日本专利申请公开No.2016-171228

专利文献3:WO2012/049905

发明内容

本发明要解决的问题

然而,在专利文献1至3中的每一个中提出的技术可能不能进一步抑制发光区域的扩展及进一步提高指向性。

因此,本技术是鉴于这样的状况而完成的,其主要目的在于提供一种能够进一步抑制发光区域的扩展,并且进一步提高指向性的发光元件、以及包括该发光元件的光源装置和投影仪。

问题的解决方案

本发明人为了实现上述目的而进行了深入研究,结果令人惊奇地成功实现了进一步抑制发光区域的扩展并进一步提高指向性,从而完成了本技术。

即,在本技术中,首先,提供了一种发光元件,其至少包括荧光体层和发射以预定角度入射的光的发射角选择层,其中,荧光体层包括荧光体和光散射体,并且荧光体层和发射角选择层依次排列。

根据本技术的发光元件还包括反射层,以及

在根据本技术的发光元件中,反射层、荧光体层和发射角选择层可以依次排列。

根据本技术的发光元件还包括电介质间隔物,以及

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