[发明专利]硅熔液的对流模式控制方法及单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201980015950.2 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN112074626B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 松岛直辉;横山龙介;坂本英城;杉村涉 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅熔液 对流 模式 控制 方法 单晶硅 制造 | ||
1.一种单晶硅的制造方法，其特征在于具备：
实施硅熔液的对流模式控制方法的工序，所述硅熔液的对流模式控制方法具备对旋转中的石英坩埚内的硅熔液施加0.2T以上的水平磁场的工序，通过以使中心磁力线通过从所述石英坩埚的中心轴朝向水平方向偏离10mm以上的位置的方式施加所述水平磁场，固定所述硅熔液内的与所述水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向，和
以使所述中心磁力线通过所述石英坩埚的中心轴的方式调整所述水平磁场的施加状态，然后在将所述水平磁场强度保持为0.2T以上的状态下提拉所述单晶硅的工序。
2.一种单晶硅的制造方法，其特征在于具备：
实施硅熔液的对流模式控制方法的工序，所述硅熔液的对流模式控制方法具备对旋转中的石英坩埚内的硅熔液施加0.2T以上的水平磁场的工序，通过以使中心磁力线通过从所述石英坩埚的中心轴朝向水平方向偏离15mm以上的位置的方式施加所述水平磁场，固定所述硅熔液内的与所述水平磁场的施加方向正交的平面中的对流方向，和
以使所述中心磁力线通过所述石英坩埚的中心轴的方式调整所述水平磁场的施加状态，然后在将所述水平磁场强度保持为0.2T以上的状态下提拉所述单晶硅的工序。
3.根据权利要求1或2所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，
所述施加水平磁场的工序在所述石英坩埚的中心轴及所述硅熔液的表面中心的交点为原点、铅垂上方为Z轴的正方向、所述水平磁场的施加方向为Y轴的正方向的右手系的XYZ正交坐标系中，进行通过以使所述中心磁力线通过从所述中心轴往X轴的负方向侧偏离的位置的方式施加水平磁场，将从所述Y轴的负方向侧观察时的所述对流方向固定为右旋转的第1固定处理，或进行通过以使所述中心磁力线通过往所述X轴的正方向侧偏离的位置的方式施加水平磁场，将所述对流方向固定为左旋转的第2固定处理。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，
在实施所述硅熔液的对流模式控制方法后，确认所述对流方向被固定，然后提拉所述单晶硅。
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