[发明专利]用于从表面发射辐射或热量的方法和装置有效
| 申请号: | 201980015894.2 | 申请日: | 2019-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN111801985B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | S·M·加斯沃斯 | 申请(专利权)人: | SABIC环球技术有限责任公司 |
| 主分类号: | H05B3/84 | 分类号: | H05B3/84 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 赵方鲜 |
| 地址: | 荷兰贝亨*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 表面 发射 辐射 热量 方法 装置 | ||
1.发射装置,包括:
辐射源,其发射源辐射和耦合到发射层的边缘;
其中所述发射层包括发射区域和非发射区域,所述发射区域包括主体材料和发射剂,所述非发射区域包括所述主体材料且不含所述发射剂;
其中所述发射剂包括发光剂或吸收剂中的至少一种;其中所述主体材料包括聚合物;
其中所述发射层具有第一表面和第二表面;其中所述边缘具有高度d且所述第一表面具有长度L,其中长度L大于高度d,并且所述长度L与所述高度d的比率大于或等于10;其中所述发射剂存在于不横跨所述发射层的所述高度d的表面局部化发射区域中;
其中,在使用期间,所述源辐射从所述辐射源传输通过所述边缘并激发所述发射剂,使得如果存在所述发光剂,则所述发光剂发射所发射的辐射,其中所述所发射的辐射的至少一部分通过逸出锥通过第一表面离开;并且,如果存在所述吸收剂,则所述吸收剂发射热量;
其中存在以下情况中的至少一种:所述表面局部化发射区域的厚度是10至1,000微米;或者所述表面局部化发射区域的厚度横跨所述发射层的小于或等于90%的所述高度;和
其中所述发射区域沿着所述长度L具有所述发射剂的梯度浓度。
2.根据权利要求1所述的装置,其中存在以下情况中的一种或两种:
所述发射层包括所述发光剂;并且其中所述发光剂任选地具有小于或等于40nm的最长平均尺寸;或者
所述主体材料包括以下各者中的至少一种:聚碳酸酯、聚丙烯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚异戊二烯或聚酰亚胺。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的装置,其中所述发射层包括所述发光剂和所述吸收剂;其中所述吸收剂的吸收光谱与所述发光剂的发射光谱重叠。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的装置,其中所述发射层具有大于或等于70%的可见光透射率,所述可见光透射率是使用3.2mm厚的样品、使用ASTM D1003-11、使用CIE标准照明体C的程序B且在单向观察下测定的。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的装置,其中所述装置不含玻璃或者不含位于所述第一表面或所述第二表面上的玻璃层。
6.根据权利要求1-2中任一项所述的装置,其中所述表面局部化发射区域的厚度是50至500微米。
7.根据权利要求1-2中任一项所述的装置,其中所述表面局部化发射区域的厚度是100至200微米。
8.根据权利要求1-2中任一项所述的装置,其中所述表面局部化发射区域的厚度横跨所述发射层的0.1至50%的所述高度。
9.根据权利要求1-2中任一项所述的装置,其中所述表面局部化发射区域的厚度横跨所述发射层的0.1至10%的所述高度。
10.根据权利要求1-2中任一项所述的装置,其中存在所述发光剂,和所述所发射的辐射的至少一部分通过所述逸出锥通过所述第一表面和所述第二表面离开。
11.形成根据前述权利要求中任一项所述的装置的发射层的方法,包括选择性地将所述发射剂和任选的粘合促进剂注入到包括所述主体材料的基底的表面中,以形成被局部化到所述第一表面的所述发射区域。
12.根据权利要求11所述的方法,其中选择性地注入所述发射剂包括:用掩模来掩蔽所述第一表面;
使所述第一表面的未掩蔽区域与包括所述发射剂的发射组合物接触,以形成接触的表面;和
加热在所述接触之前的所述基底、在所述接触之前的所述发射组合物,或者所述接触的表面中的至少一个,使得所述发射剂在所述未掩蔽区域中注入到所述基底中以形成所述发射区域。
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