[发明专利]碳浓度评价方法在审
| 申请号： | 201980015883.4 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN111801782A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 水泽康 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浓度 评价 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，
以1.1×1011×[注入元素原子量]-0.73注入量(cm-2)4.3×1011×[注入元素原子量]-0.73的注入条件进行所述离子的注入，并评价碳浓度。
2.根据权利要求1所述的碳浓度评价方法，其特征在于，在所述离子注入后，以200℃以下的温度进行恢复热处理，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度。
3.根据权利要求1或2所述的碳浓度评价方法，其特征在于，向所述硅晶圆中离子注入的元素为氦或氢。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的碳浓度评价方法，其特征在于，所述碳浓度在距所述硅晶圆的表面为2μm以下的范围的区域进行测定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
