[发明专利]在双极静电卡盘的部分上具有电极的双极静电卡盘在审
申请号: | 201980015431.6 | 申请日: | 2019-03-06 |
公开(公告)号: | CN111788670A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 曹生贤 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 部分 具有 电极 | ||
公开一种双极静电卡盘。双极静电卡盘包括:底座;下部介电层,形成于底座的整个上部表面上;边缘电极部分,沿着边沿形成在下部介电层的上部侧上,边缘电极部分包括第一电极和第二电极,第二电极与第一电极分隔开且具有与第一电极的极性不同的极性;和上部介电层,形成于下部介电层和边缘电极部分的上部侧上,其中,在平面图中,双极静电卡盘划分成边缘电极形成区域和中心区域,边缘电极形成区域对应至从边缘至边缘电极部分的区域,且中心区域对应至除了边缘电极形成区域之外的区域。
技术领域
本公开内容涉及双极静电卡盘,且更具体而言,涉及使用静电力保持大面积基板的双极静电卡盘。
背景技术
作为待处理的物体的晶片或基板(例如,玻璃基板)在制造半导体、显示面板或类似者的处理中遭受各种处理程序,例如蚀刻、CVD、溅射、离子注入、灰化和/或蒸发沉积。在此情况中,稳定保持待处理物体是必须的,且可使用机械卡盘或真空卡盘作为此目的,但静电卡盘也广泛地被使用。
静电卡盘(ESC)在具有不同电位的两个物体之间使用静电力。常规的一般静电卡盘配置成具有包括金属板、经由诸如硅酮树脂的有机粘合剂堆叠在金属板的上部侧的介电层和形成于介电层中的电极的结构。
具有单一极性的电极形成于介电层中的静电卡盘称为单极静电卡盘(单极ESC或单一极ESC),且其中电极具有两个彼此不同的极性的静电卡盘称为双极静电卡盘(双极ESC)。
同时,随着近期晶片或玻璃基板变得更大,静电卡盘也变得更大,且在静电卡盘的制造中已使用等离子体喷涂形成介电层和电极的方法。
在制造静电卡盘中夹持力是首先考虑的一个要素。当供应的电能(电荷累积的量)为相同时,静电力随着电极的面积增加而增加。因此,在常规的静电卡盘中,电极作成占据静电卡盘的总面积的很大比例。
此趋势出现在常规的单极静电卡盘和双极静电卡盘两者中。具体而言,在双极静电卡盘中,电极形成在静电卡盘的总区域上,且此趋势变得更加明显。
然而,随着静电卡盘的面积变大,当形成电极的区域的比重及位置并未仔细考虑时,制造静电卡盘的总成本增加且可对晶片或基板造成伤害的不适当的过大夹持力可能施加至晶片或基板。
此外,当使用具有大面积的静电卡盘处理基板时,因为处理腔室中的温度偏差或电位差而存在出现污渍的高可能性,且需要发展能够解决此问题的静电卡盘。
现有技术文件
专利文件1:韩国专利第10-1797927号(2017年11月9日登记)。
专利文件2:韩国专利第10-1775135号(2017年8月30日登记)。
发明内容
技术问题
本公开内容的发明为提供能够提供适当保持力的双极静电卡盘,同时降低制造成本且在基板处理工艺中避免在基板上出现污渍。
技术方案
为了实现以上所述的发明,提供用于保持大面积基板的双极静电卡盘,具体地其中此大面积基板的各侧具有2000mm或更大的尺寸。双极静电卡盘可包括:底座;下部介电层,形成于底座的上部表面上,具体为底座的整个上部表面上;边缘电极部分,沿着边沿(rim)形成在下部介电层的上部侧上,边缘电极部分包括第一电极和第二电极,第二电极与第一电极分隔开且具有与第一电极的极性不同的极性;和上部介电层,形成于下部介电层和边缘电极部分的上部侧上,其中,在平面图中,双极静电卡盘划分成边缘电极形成区域和中心区域,边缘电极形成区域对应至从角落至边缘电极部分的区域,且中心区域对应至除了边缘电极形成区域之外的区域。
在根据本公开内容的双极静电卡盘中,边缘电极形成区域的面积(A)可为在双极静电卡盘的总面积的20%至35%的范围中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造