[发明专利]通过Al/Be共注入p型掺杂碳化硅的方法有效
申请号: | 201980015392.X | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN111771259B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | G·阿尔菲里;V·桑达拉莫西 | 申请(专利权)人: | ABB电网瑞士股份公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L29/872;H01L29/16 |
代理公司: | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人: | 魏小薇;吴丽丽 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 al be 注入 掺杂 碳化硅 方法 | ||
1.一种用于碳化硅层(1)的p型掺杂的方法,其中,所述方法包括:
提供所述碳化硅层(1)的步骤;
通过离子注入(7Al)将铝(Al)掺杂剂注入所述碳化硅层(1)的预选区域(6)中的第一注入步骤;
在所述第一注入步骤之后对所述碳化硅层(1)进行退火的退火步骤;和
在所述退火步骤之前,通过离子注入(7Be)将铍(Be)掺杂剂注入到所述预选区域(6)中的第二注入步骤,
其特征在于,
所述第一注入步骤中的总的铝(Al)剂量DAl,tot与所述第二注入步骤中的总的铍(Be)剂量DBe,tot的比率DAl,tot/DBe,tot在0.1和10之间的范围内。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一注入步骤中的总的铝(Al)剂量DAl,tot与所述第二注入步骤中的总的铍(Be)剂量DBe,tot的比率DAl,tot/DBe,tot进一步在0.3和3之间的范围内。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一注入步骤中的总的铝(Al)剂量DAl,tot与所述第二注入步骤中的总的铍(Be)剂量DBe,tot的比率DAl,tot/DBe,tot进一步在0.5和2之间的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在所述第一注入步骤和所述第二注入步骤之间的时间段期间,所述碳化硅层(1)的温度保持在低于1200℃的温度。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在所述第一注入步骤和所述第二注入步骤之间的时间段期间,所述碳化硅层(1)的温度保持在低于1000℃的温度。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,在所述第一注入步骤和所述第二注入步骤之间的时间段期间,所述碳化硅层(1)的温度保持在低于900℃的温度。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述退火步骤中的退火温度高于1500℃。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述退火步骤中的所述退火温度低于1800℃。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述退火步骤中的所述退火温度低于1750℃。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述退火步骤中的退火温度高于1600℃。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述退火步骤中的所述退火温度低于1800℃。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述退火步骤中的所述退火温度低于1750℃。
13.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述退火步骤中的退火温度高于1650℃。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述退火步骤中的所述退火温度低于1800℃。
15.根据权利要求13所述的方法,其中,所述退火步骤中的所述退火温度低于1750℃。
16.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中,所述碳化硅层(1)的至少所述预选区域(6)包括浓度为至少1016cm-3的氮原子(N)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造