[发明专利]形成金属硫系化物柱体的方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，包含以下步骤：

提供基板，所述基板具有基板表面，且具有至少一个特征形成于所述基板中，所述至少一个特征从所述基板表面延伸进入所述基板达一距离，且所述至少一个特征具有侧壁和底部；

于所述至少一个特征中形成金属膜；和

将所述金属膜暴露于硫系前驱物，以形成金属硫系化物柱体，所述金属硫系化物柱体从所述至少一个特征延伸，所述硫系前驱物实质上不包含氧。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属包含以下一或多种：钨及钼。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述硫系前驱物包含以下一或多种：H₂S、烷基硫、烷基二硫、S₈粉末及Se粉末。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属硫系化物柱体包含以下一或多种：硫、硒或碲。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述金属硫系化物柱体正交于所述基板表面。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属硫系化物柱体对所述金属膜的体积比为大于或等于约2。

7.一种用于产生自对准通孔的方法，所述方法包含以下步骤：

根据权利要求1形成金属硫系化物柱体；

于所述基板表面上沉积介电材料，所述介电材料围绕所述金属硫系化物柱体；和

移除所述金属硫系化物柱体，而留下穿过所述介电材料的通孔。

8.一种基板处理方法，包含以下步骤：

提供基板，所述基板具有基板表面，且具有至少一个特征形成于所述基板中，所述至少一个特征从所述基板表面延伸进入所述基板达一距离，且所述至少一个特征具有侧壁和底部；

于所述至少一个特征中形成金属膜；

使所述金属膜膨胀，以形成柱体，所述柱体从所述至少一个特征延伸，所述柱体实质上不包含氧；和

将所述柱体暴露于硫系前驱物，以形成金属硫系化物柱体，所述金属硫系化物柱体从所述至少一个特征延伸，所述硫系前驱物实质上不包含氧。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述金属包含以下一或多种：钨及钼。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述柱体包含以下一或多种：氮、碳或硅。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述硫系前驱物包含以下一或多种：H₂S、二烷基二硫(dialkyl disulfide)、S₈粉末及Se粉末。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述金属硫系化物柱体包含以下一或多种：硫、硒或碲。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述金属硫系化物柱体正交于所述基板表面。

14.一种用于产生自对准通孔的方法，所述方法包含以下步骤：

根据权利要求8形成金属硫系化物柱体；

于所述基板表面上沉积介电材料，所述介电材料围绕所述金属硫系化物柱体；和

移除所述金属硫系化物柱体，而留下穿过所述介电材料的通孔。

15.一种基板处理方法，包含以下步骤：

提供基板，所述基板具有基板表面，且具有至少一个特征形成于所述基板中，所述至少一个特征从所述基板表面延伸进入所述基板达一距离，且所述至少一个特征具有侧壁和底部；和

将所述基板暴露于金属硫系化物前驱物，以形成金属硫系化物柱体，所述金属硫系化物柱体从所述至少一个特征延伸，所述金属硫系化物前驱物实质上不包含氧。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述金属硫系化物柱体包含以下一或多种：钨及钼。