[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980014864.X | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111742414A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;栃林克明;方堂凉太 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
第一绝缘体；
所述第一绝缘体上的第一氧化物；
所述第一氧化物上的第二氧化物；
所述第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；
所述第二氧化物上的第三氧化物；
所述第三氧化物上的第二绝缘体；
位于所述第二绝缘体上并与所述第三氧化物重叠的第三导电体；
与第一绝缘体的顶面、所述第一氧化物的侧面、所述第二氧化物的侧面、所述第一导电体的侧面、所述第一导电体的顶面、所述第二导电体的侧面及所述第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；
所述第三绝缘体上的第四绝缘体；
所述第四绝缘体上的第五绝缘体；以及
所述第三导电体、所述第二绝缘体、所述第三氧化物及所述第五绝缘体上的第六绝缘体，
其中，所述第六绝缘体与所述第三导电体、所述第二绝缘体、所述第三氧化物及所述第五绝缘体各自的顶面接触。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第三绝缘体和所述第四绝缘体都比所述第一绝缘体不容易使氧及氢中的一方或双方透过。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中所述第三绝缘体、所述第四绝缘体和所述第六绝缘体都比所述第二绝缘体不容易使氧及氢中的一方或双方透过。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，
其中所述第四绝缘体和所述第六绝缘体都是包含铝及铪中的一方或双方的氧化物。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，
其中所述第四绝缘体和所述第六绝缘体都是氧化铝。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，
其中所述第三绝缘体包含硅及氮。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，
其中所述第一至所述第三氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn。
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