[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成包含金属氧化物的半导体层的第一工序；

以覆盖所述半导体层的方式形成第一绝缘层的第二工序；

在所述第一绝缘层上形成第一导电膜的第三工序；

通过对所述第一导电膜的一部分进行蚀刻来形成第一导电层，形成所述第一导电层重叠于所述半导体层上的第一区域以及所述第一导电层不重叠于所述半导体层上的第二区域的第四工序；

对所述第一导电层进行第一处理的第五工序；以及

以与所述第一导电层接触的方式形成包含氧化物的第二绝缘层的第六工序，

其中，所述第一导电层包含铜、银、金或铝，

所述第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体与含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理，

所述第二绝缘层通过利用包括所述第一气体及含有硅元素的第三气体的沉积气体的等离子体增强化学气相沉积法形成，

并且，所述第六工序在所述第五工序后以不暴露于大气的方式连续地进行。

2.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成包含金属氧化物的半导体层的第一工序；

以覆盖所述半导体层的方式形成第一绝缘层的第二工序；

在所述第一绝缘层上依次形成第一金属氧化物膜及第一导电膜的第三工序；

通过对所述第一导电膜及所述第一金属氧化物膜的一部分进行蚀刻来形成第一导电层及第一金属氧化物层，形成所述第一导电层重叠于所述半导体层上的第一区域以及所述第一导电层不重叠于所述半导体层上的第二区域的第四工序；

对所述第一导电层进行第一处理的第五工序；以及

以与所述第一导电层接触的方式形成包含氧化物的第二绝缘层的第六工序，

其中，第一导电层包含铜、银、金或铝，

所述第一处理是在包括含有氧元素而不含有氢元素的第一气体与含有氢元素而不含有氧元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理，

所述第二绝缘层通过利用包括所述第一气体及含有硅元素的第沉积气体的等离子体增强化学气相沉积法形成，

并且，所述第六工序在所述第五工序后以不暴露于大气的方式连续地进行。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第五工序中的所述第一处理在以下状态下进行：以将所述第一气体的流量为100％时的所述第二气体的流量为0.5％以上且100％以下的方式控制供应到处理室的所述第一气体和所述第二气体的流量。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第一气体包含N₂O或O₂，

并且所述第二气体包含NH₃或H₂。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的制造方法，

其中所述第五工序和所述第六工序在同一处理室中且在同一温度下进行。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，

其中在所述第一工序中，所述半导体层在依次形成第二金属氧化物膜及第三金属氧化物膜之后对所述第二金属氧化物层和所述第三金属氧化物层进行蚀刻加工来形成，

并且以具有比所述第二金属氧化物层高的结晶性的方式形成所述第三金属氧化物层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，还包括：

所述第一工序之前的形成第一导电层的第七工序；以及

所述第七工序和所述第一工序之间的以覆盖所述第一导电层的方式形成第三绝缘层的第八工序，

其中在所述第一工序中，以与所述第一导电层重叠的方式形成所述半导体层。