[发明专利]浓度测定方法及浓度测定装置在审
| 申请号: | 201980013216.2 | 申请日: | 2019-01-17 | 
| 公开(公告)号: | CN111727495A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 | 
| 发明(设计)人: | 中村共则 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 | 
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/3581 | 
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 浓度 测定 方法 装置 | ||
1.一种浓度测定方法,其特征在于,
是测量测定对象物的杂质浓度的浓度测定方法,其具备:
照射步骤,朝向所述测定对象物,照射测量光、及以包含既定频率的调制信号进行强度调制所得的刺激光;
输出步骤,检测来自所述测定对象物的反射光或透过光的强度并输出检测信号;及
推定步骤,检测相对于所述调制信号的所述检测信号的相位延迟,求出所述相位延迟成为特定值的频率,并基于该频率推定所述测定对象物的杂质浓度。
2.如权利要求1所述的浓度测定方法,其中,
在所述推定步骤中,检测多个所述既定频率下的多个所述相位延迟,并基于所述多个既定频率的每一者的所述多个相位延迟,求出所述相位延迟成为特定值的频率。
3.如权利要求1或2所述的浓度测定方法,其中,
在所述照射步骤中,照射通过作为矩形波的所述调制信号进行强度调制所得的所述刺激光。
4.如权利要求2所述的浓度测定方法,其中,
在所述照射步骤中,照射通过多个所述既定频率的每一者的所述调制信号进行强度调制所得的所述刺激光,且
在所述输出步骤中,对应于每个所述刺激光输出所述检测信号。
5.如权利要求1至4中任一项所述的浓度测定方法,其中,
所述特定值为45度。
6.如权利要求1至5中任一项所述的浓度测定方法,其中,
在所述照射步骤中,照射具有较构成所述测定对象物的半导体的带隙能量高的能量的刺激光。
7.如权利要求1至6中任一项所述的浓度测定方法,其中,
进一步具备将预先输入的杂质浓度的信息与在所述推定步骤中所推定出的所述杂质浓度进行比较的比较步骤。
8.如权利要求1至7中任一项所述的浓度测定方法,其中,
在所述推定步骤中,绘制所推定出的所述杂质浓度而产生表示杂质浓度的分布的图像数据。
9.一种浓度测定装置,其中,
是测量测定对象物的杂质浓度的浓度测定装置,其具备:
第1光源,其产生测量光;
第2光源,其产生刺激光;
调制部,其以包含既定频率的调制信号对所述刺激光进行强度调制;
光检测器,其检测来自所述测定对象物的反射光或透过光的强度并输出检测信号;
光学系统,其将所述测量光及经强度调制的所述刺激光朝向所述测定对象物导引,并将来自所述测定对象物的反射光或透过光朝向所述光检测器导引;及
解析部,其检测相对于所述调制信号的所述检测信号的相位延迟,求出所述相位延迟成为特定值的频率,并基于该频率推定所述测定对象物的杂质浓度。
10.如权利要求9所述的浓度测定装置,其中,
所述解析部检测多个所述既定频率下的多个所述相位延迟,并基于所述多个既定频率的每一者的所述多个相位延迟,求出所述相位延迟成为特定值的频率。
11.如权利要求9或10所述的浓度测定装置,其中,
所述调制部以作为矩形波的所述调制信号对所述刺激光进行强度调制。
12.如权利要求10所述的浓度测定装置,其中,
所述调制部以多个所述既定频率的每一者的所述调制信号对所述刺激光进行强度调制,
所述光检测器对应于每个所述刺激光输出所述检测信号。
13.如权利要求9至12中任一项所述的浓度测定装置,其中,
所述特定值为45度。
14.如权利要求9至13中任一项所述的浓度测定装置,其中,
所述第2光源产生具有较构成所述测定对象物的半导体的带隙能量高的能量的刺激光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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