[发明专利]晶片清洗装置

说明书

本发明涉及一种可以防止清洗溶液泄漏并能够及时处理的晶片清洗装置。本发明提供一种晶片清洗装置，该晶片清洗装置包括：清洗槽，该清洗槽接纳清洗溶液，并且清洗溶液由于晶片的浸入而从清洗槽中溢出；多个提升部件，该多个提升部件被布置在清洗槽的外部并且将晶盒浸入到清洗槽内的清洗溶液中；外部水箱，该外部水箱具有被接纳在其中的清洗槽和提升部件，并且包括排放孔，清洗溶液通过该排放孔排出；以及托盘，该托盘可拆卸地附接至外部水箱的内底表面并收集清洁溶液，以将清洗溶液引导至排放孔。

技术领域

本发明涉及一种能够防止清洗溶液泄漏到外部并对其作出快速响应的晶片清洗装置。

背景技术

通常，硅晶片是通过如下过程制造的，所述过程即：用于将多晶硅生长成单晶硅锭的生长过程、用于将生长成的单晶硅锭切成晶片形状的切片过程、用于使晶片的厚度均匀化和平坦化的研磨过程、用于去除或减轻由机械抛光产生的损伤的蚀刻过程、对晶片的表面进行镜面抛光的抛光过程以及用于清洗晶片的清洗过程。

通常，晶片清洗装置用于执行清洗过程，并且当强碱性溶液的清洗溶液被包含在内部槽中并使清洗溶液从内部槽中溢出时，晶片移动机器人将晶片浸入内部槽的清洗溶液中，然后提升部件在清洗溶液中竖直摇动晶片，以清洗晶片表面。

另外，在晶片清洗装置中，内部槽、外部槽以及提升部件被设置在外部水槽内，但是当用纯水清洗内部槽/外部槽时，清洗溶液由于异常操作而溢出，或者清洗溶液在使晶片移动时滴落，清洗溶液通过设置在外部水槽中的排放孔排出。

然而，当在晶片清洗装置中使用诸如KOH的强碱性溶液作为清洗溶液时，当金属材料的部件长时间暴露于具有高渗透性的清洗溶液时，清洗溶液由于老化或降解而泄漏。

编号为2004-0036300的韩国公开专利出版物涉及一种化学循环系统，该化学循环系统具有晶片湿式蚀刻装置的泄漏感测功能，并且还设置了被安装在连接至槽的管中的螺杆、连接至螺杆的发电机以及泄漏感测装置，该泄漏感测装置包括电连接至发电机的传感器。

因此，当管中发生泄漏时，通过泄漏引入的空气上升以使螺杆旋转，发电机根据螺杆旋转而产生的电流被传输至传感器以感测泄漏。

然而，根据相关技术，仅在连接至清洗槽的管中可以感测到清洗溶液的泄漏，并且清洗溶液由于老化或降解而经常从外部水槽泄漏，但是存在这样的问题：由于清洗溶液通过外部水槽泄漏到外部，因此难以确保安全性。

另外，当清洗溶液从外部水槽侧面泄漏时，清洗过程停止，然后视觉上感测到泄漏部分并对该泄漏部分进行焊接，但是存在一个问题：由于不仅停止了过程，而且花费了很长时间来感测和校正泄漏部分，因此降低了生产效率。

发明内容

技术问题

本发明旨在解决相关技术中的上述问题并提供一种晶片清洗装置，该晶片清洗装置能够防止清洗溶液泄漏到外部并对其作出快速响应。

技术方案

本发明提供了一种晶片清洗装置，该晶片清洗装置包括：包含清洗溶液的清洗槽，其中，清洗溶液随着晶片的浸入而溢出；多个提升部件，该多个提升部件被设置在清洗槽的外部并且将晶盒浸入到清洗槽内的清洗溶液中；外部水槽，该外部水槽容纳清洗槽和提升部件并且具有排放孔，清洗溶液通过该排放孔排出；以及托盘，该托盘可从外部水槽的内底表面上拆下并收集清洁溶液，以将清洗溶液引导至排放孔。因此，该晶片清洗装置可防止清洗溶液泄漏到外部，并且可以快速响应于清洗溶液泄漏到外部。

托盘可设置有用于支撑清洗槽的支撑件以及安装孔，提升部件穿过该安装孔，并且托盘可被设置成使得布置在外部水槽的排放孔内的排放口向下突出。因此，清洗槽可通过托盘稳定地安装在外部水槽内部的预定位置。