[发明专利]普雷斯顿矩阵产生器

权利要求书

1.一种产生将化学机械抛光系统的多个可控制参数与抛光速率分布相关的矩阵的方法，所述方法包括以下步骤：

在所述化学机械抛光系统中用抛光垫来抛光测试基板，而当将所述基板维持在所述抛光垫处时，包括以下步骤：

使用针对所述多个可控制参数的基线参数值，来针对第一时间段抛光所述测试基板，其中所述基线参数值包括设置为第一值的第一参数，

使用针对所述多个可控制参数的第一修改参数值，来针对第二时间段抛光所述测试基板，其中所述第一修改参数包括设置为修改的第二值的所述第一参数；

使用原位监控系统，来在抛光期间在整个所述基板的多个位置的每个位置处监控所述测试基板的厚度；

基于由所述原位监控系统的厚度测量，来决定针对所述第一时间段的基线抛光速率分布和针对所述第二时间段的第一修改抛光速率分布；和

基于所述基线参数值、所述第一修改参数、所述基线抛光速率分布和所述第一修改抛光速率分布，来计算将所述多个可控制参数与所述化学机械抛光系统的所述抛光速率分布相关的矩阵。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：接收目标抛光分布，并且决定针对所述多个可控制参数的每个参数的值，以最小化在所述目标去除分布与基于所述矩阵计算的预期去除分布之间的差异。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：使用针对所述多个可控制参数的每个参数的所述值，来抛光在所述化学机械抛光系统处的装置基板，以最小化所述差异。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二值相对于所述第一值增加，并且其中当将所述测试基板维持在所述抛光垫处时，抛光所述测试基板的步骤包括以下步骤：使用针对所述多个可控制参数的第二修改参数值，来针对第三时间段抛光所述测试基板，其中所述第二修改参数包括设置为相对于所述第一值减少的第三值的所述第一参数。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括以下步骤：基于由所述原位监控系统的厚度测量，来决定针对所述第三时间段的第二修改抛光速率分布，并且基于所述基线参数值、所述第一修改参数、所述第二修改参数、所述基线抛光速率分布、所述第一修改抛光速率分布和所述第二修改抛光速率分布，来计算所述矩阵。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述基线参数值包括设置为第四值的第二参数。

7.如权利要求6所述的方法，其中当将所述基板维持在所述抛光垫处时，抛光所述测试基板的步骤包括以下步骤：使用针对所述多个可控制参数的第四修改参数值，来针对第四时间段抛光所述测试基板，其中所述第四修改参数包括设置为不同于所述第四值的第五值的所述第二参数。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述多个可控制参数包括用于承载头中的多个腔室的压力，所述承载头将压力施加到所述基板上的多个区域。

9.一种在非暂时性计算机存储介质上编码的计算机程序产品，并且所述计算机程序产品包括使处理器执行以下操作的指令：

使化学机械抛光系统抛光测试基板，包括以下操作：

使用针对多个可控制参数的基线参数值，来针对第一时间段抛光所述测试基板，其中所述基线参数值包括设置为第一值的第一参数，

使用针对所述多个可控制参数的第一修改参数值，来针对第二时间段抛光所述测试基板，其中所述第一修改参数包括设置为修改的第二值的所述第一参数；

从原位监控系统接收在抛光期间在整个所述基板的多个位置的每个位置处对所述测试基板的厚度的测量；

基于由所述原位监控系统的厚度测量，来决定针对所述第一时间段的基线抛光速率分布和针对所述第二时间段的第一修改抛光速率分布；和

基于所述基线参数值、所述第一修改参数、所述基线抛光速率分布和所述第一修改抛光速率分布，来计算将所述多个可控制参数与所述化学机械抛光系统的所述抛光速率分布相关的矩阵。