[发明专利]波长追踪系统、校准波长追踪系统的方法、光刻设备、确定可运动对象的绝对位置的方法、以及干涉仪系统在审
| 申请号: | 201980011304.9 | 申请日: | 2019-01-15 |
| 公开(公告)号: | CN111670335A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
| 发明(设计)人: | E·A·F·范德帕斯奇;M·J·詹森;S·J·A·G·科西晋斯;K·G·O·范德米拉科夫;I·威德斯洛文 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G01B9/02 | 分类号: | G01B9/02;G03F7/20;G01J9/02 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王益 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 波长 追踪 系统 校准 方法 光刻 设备 确定 运动 对象 绝对 位置 以及 干涉仪 | ||
本发明提供一种包括波长追踪单元和干涉仪系统的波长追踪系统。波长追踪单元具有位于固定位置处的反射表面且提供具有第一路径长度的第一反射路径和具有第二路径长度的第二反射路径。第一路径长度实质上大于第二路径长度。干涉仪系统包括:分束器,用以将光束拆分成第一测量束和第二测量束;至少一个光学元件,用以至少部分地沿第一反射路径第一测量束、和至少部分地沿第二反射路径引导第二测量束;第一光传感器,布置在第一反射路径的端部处,以接收第一测量束并基于第一测量束来提供第一传感器信号;第二光传感器,布置在第二反射路径的端部处,以接收第二测量束并基于第二测量束来提供第二传感器信号;及处理单元,用以基于第一传感器信号和第二传感器信号来确定波长或波长的改变。
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年1月31日递交的欧洲申请18154460.2和2018年9月27日递交的欧洲申请18197177.1的优先权,这些欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本发明的第一方面涉及一种波长追踪系统、一种校准波长追踪系统的方法、以及一种光刻设备。
本发明的第二方面涉及一种使用干涉仪系统来确定可运动对象相对于参考部位的绝对位置的方法。本发明的第二方面还涉及一种执行这样的方法的干涉仪系统,和一种包括这样的干涉仪系统的光刻设备。
背景技术
光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如,光刻设备可以被用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生待形成于IC的单层上的电路图案。可以将这种图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一部分管芯、一个或若干管芯)上。典型地,经由将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行所述图案的转印。通常,单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器,在步进器中,通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分;在扫描器中,通过在辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案的同时沿与所述方向平行或反向平行的方向同步地扫描衬底来照射每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。
在光刻设备的实施例中,干涉仪被用于以高准确度来确定可运动对象的位置。这些可运动对象的示例是衬底支撑件和可运动光学元件,例如投影光学器件箱的反射镜元件。
在某些类型的光刻设备中,此位置测量发生在受调节的空间中,特别是具有降低的压力的空间中。具有降低的压力的这种空间也被指示为真空空间。所述真空空间可以被细分成多个子空间,在所述多个子空间之间提供气锁以避免粒子将从一个子空间运动至另一子空间。例如,所述衬底支撑件可以被布置在第一真空子空间中,并且投影光学器件箱的可运动反射镜元件可以被布置在第二真空子空间中。
设置在所述第一真空子空间与所述第二真空子空间之间的所述气锁可以被配置成将H2气体作为粒子避免介质从所述第一真空子空间供应至所述第二子空间。所述第一真空子空间和所述第二真空子空间中的H2的浓度可以由于流量限制变化(例如,由于运动的衬底支撑件)而随时间推移而变化。H2浓度的这种变化(也被称为局部H2压力变化)将引发折射率改变,如由位置测量干涉仪所见的。折射率的这些改变(如果没有被补偿)将导致位置测量误差,所述位置测量误差将对位置测量干涉仪的测量准确度产生显著影响。位置测量干涉仪的灵敏度可以例如为大约1.4nm/m/Pa压力。
此外,由于所需的每轴线的噪音水平,则每个投影光学器件箱反射镜元件可能需要分开的激光源。激光源的基本波长稳定性可能不足以实现期望的准确度。
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