[发明专利]分析方法、药液及药液的制造方法

说明书

本发明的课题在于提供一种在将受检体尤其金属杂质的含量少的受检体涂布于基板上而测量基板上的每单位面积的金属杂质量时，也能够轻松地得到准确的测量结果的分析方法、药液及药液的制造方法。本发明的分析方法包括工序A，以规定倍率浓缩包含至少一种有机溶剂和含有金属原子的金属杂质的受检体而得到浓缩液；工序B，将浓缩液涂布于基板上而得到经涂布的基板；及工序C，利用全反射荧光X射线分析法，测量经涂布的基板上的每单位面积的金属原子数而得到测量值。

技术领域

本发明涉及一种分析方法、药液及药液的制造方法。

背景技术

在半导体基板的制造工序中，存在含有金属原子的金属杂质粘附于基板上的情况。认为粘附于基板上的金属杂质会成为缺陷的原因，其结果成为降低半导体基板的制造产率的要因之一。近年来，配线宽度及间距更加狭小化，该倾向变得更加显著。尤其，关于利用光刻技术形成配线时使用的药液，作为不易产生使金属杂质粘附于基板上的结果，强烈要求不易产生缺陷的性能(以下，也称为“缺陷抑制性能”。)。

作为测量有无存在于基板上的金属杂质等的方法，已知有全反射荧光X射线分析法，作为能够实施上述分析法的装置，专利文献1中记载有一种“全反射荧光X射线分析装置，其在包括半导体单晶体的测量试样的表面，以全反射角度以下入射激发X射线，测量来自通过该激发产生的该测量试样的表面金属杂质的荧光X射线的光量，基于该测量结果进行关于测量试样的表面金属杂质的分析”。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开5-066204号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

本发明人发现，将受检体(例如，用于半导体基板的制造的药液)涂布于基板上，欲利用全反射荧光X分析装置测量基板上的每单位面积的杂质量时，存在有时无法得到准确的测量结果的问题。

因此，本发明的课题在于提供一种在将受检体(尤其，金属杂质的含量少的受检体)涂布于基板上而测量基板上的每单位面积的金属杂质量时，也能够轻松地得到准确的测量结果的分析方法。

并且，本发明的课题还在于提供一种药液及药液的制造方法。

用于解决技术课题的手段

本发明人为了解决上述课题而进行深入研究的结果，发现能够通过以下的结构解决上述课题。

[1]一种分析方法，其包括：工序A，以规定倍率浓缩包含至少一种有机溶剂和含有金属原子的金属杂质的受检体而得到浓缩液；工序B，将浓缩液涂布于基板上而得到经涂布的基板；及工序C，利用全反射荧光X射线分析法，测量经涂布的基板上的每单位面积的金属原子数而得到测量值。

[2]根据[1]所述的分析方法，其中金属原子含有选自包括Fe、Cr、Ti、Ni及Al的组中的至少一种特定原子，工序C中，从经涂布的基板上检测出一种特定原子时，经涂布的基板上的每单位面积的一种特定原子的测量值为1.0×10⁸～1.0×10¹⁴atms/cm²，工序C中，从经涂布的基板上检测出两种以上的特定原子时，经涂布的基板上的每单位面积的两种以上的特定原子的测量值分别为1.0×10⁸～1.0×10¹⁴atms/cm²。

[3]根据[1]或[2]所述的分析方法，其在工序B之后且在工序C之前还包括：工序E，使氟化氢气体与经涂布的基板接触。

[4]根据[1]至[3]中任一项所述的分析方法，其在工序B之后且在工序C之前还包括：工序F，在经涂布的基板上用含有氟化氢和过氧化氢的溶液进行扫描，而使经涂布的基板上的金属杂质回收到溶液中。