[发明专利]检测设备和检测方法

权利要求书

1.一种用于探测反射性掩模版的衬底上的缺陷的检测方法，包括：

使用第一检测辐射来执行所述检测，所述第一检测辐射从高次谐波生成源获得并且具有在20nm和150nm之间的第一波长范围内的一个或多个第一波长。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述检测步骤包括使用以相对于表面法线成大于10度的入射角入射到所述衬底上的所述第一检测辐射，并且可选地，使用以相对于所述表面法线成大于40度的入射角入射到衬底上的所述第一检测辐射。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述一个或多个第一波长包括多个波长。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述一个或多个第一波长包括近似为光化波长的波长的整数倍的波长，所述掩模版的衬底已经针对所述光化波长被优化，并且可选地，所述整数为2或3。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述第一波长范围在20nm至40nm之间。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，针对在所述一个或多个第一波长处的最大光子生成来优化高次谐波生成源的一个或多个高次谐波生成参数；所述一个或多个高次谐波生成参数包括以下各项中的一项或多项：

在所述高次谐波生成源中包含的用于生成所述第一检测辐射的高次谐波生成式发生介质的种类；

高次谐波生成式发生介质的压力；和/或

用于激发高次谐波生成式发生介质的泵浦激光器的波长。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述反射性掩模版的衬底包括以下各项中的一项：

裸衬底，

具有施加的多层的掩模版坯件，或

图案化衬底，所述图案化衬底包括吸收层，在所述吸收层中已经施加了图案。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述使用第一检测辐射来执行检测是作为粗略检测的一部分而被执行的；并且，所述方法还包括：

使用第二检测辐射来执行精细检测，所述第二检测辐射具有在第二波长范围内的一个或多个第二波长，所述第二波长范围包括比所述第一波长范围的波长短的波长。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述一个或多个第一波长均都被包括在所述第一波长范围内，并且所述一个或多个第二波长都被包括在所述第二波长范围内。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，所述第一波长范围和所述第二波长范围是非重叠的。

11.根据权利要求8至10中的任一项所述的方法，其中，所述第二检测辐射包括光化辐射，使得所述第二波长包括已经针对其对反射性掩模版进行优化的波长，并且，可选地，其中所述第二波长范围包括小于20nm的波长，并且可选地，其中所述第二检测辐射包括近似为13.5nm的第二波长。

12.根据权利要求8至12中任一项所述的方法，其中，在所述衬底的表面上执行所述粗略检测，以识别指示缺陷的存在的感兴趣区域；以及，仅针对感兴趣区域执行所述精细检测以表征缺陷。

13.一种用于探测反射性掩模版的衬底上的缺陷的检测方法，包括：

使用第一检测辐射来执行粗略检测，所述第一检测辐射具有在第一波长范围内的一个或多个第一波长；以及

使用第二检测辐射来执行精细检测，所述第二检测辐射具有在第二波长范围内的一个或多个第二波长，所述第二波长范围包括比所述第一波长范围的波长短的波长。

14.一种检测设备，所述检测设备能够操作以执行根据权利要求1至19中的任一项所述的方法或能够操作以执行根据权利要求20至23中的任一项所述的方法。