[发明专利]光伏器件中吸收层的V族掺杂方法

权利要求书

1.一种掺杂吸收层的方法，所述方法包括：

使吸收层与退火化合物接触，其中：

吸收层包含镉和碲；

退火化合物包含氯化镉和包含阴离子和阳离子的V族盐；

阴离子、阳离子或二者包含V族元素；

按重量/体积计，退火化合物内氯化镉与V族盐之比为至少30:1；和

使吸收层退火，由此用退火化合物的V族元素的至少一部分掺杂吸收层。

2.权利要求1的方法，其中退火化合物为溶液，并且V族盐与退火化合物总量的比例小于100克/升。

3.权利要求2的方法，其中V族盐与退火化合物总量的比例在1/25克/升和20克/升之间。

4.权利要求1的方法，其中吸收层的晶粒粒度在吸收层退火期间增大。

5.权利要求1的方法，其中V族盐为砷酸二氢铵。

6.权利要求1的方法，其中V族盐为磷酸氢二铵。

7.权利要求1的方法，其中V族元素为氮。

8.权利要求1的方法，其中V族元素为磷。

9.权利要求1的方法，其中V族元素为砷。

10.权利要求1的方法，其中V族元素为锑。

11.权利要求1的方法，其中V族元素为铋。

12.权利要求1的方法，所述方法包括在使吸收层退火的同时使吸收层暴露于还原环境。

13.权利要求12的方法，其中还原环境包括构造成减轻V族氧化物生成的形成气体，所述形成气体包括氢、氮、碳或其组合。

14.权利要求1的方法，其中吸收层在350℃和500℃之间的温度下退火5分钟至60分钟。

15.权利要求1的方法，其中：

退火化合物包括碱金属氯化物；并且

至少部分V族掺杂剂在吸收层退火期间活化。

16.权利要求1的方法，其中在使吸收层退火后，在吸收层中心区域中的V族掺杂剂的原子浓度大于1x10¹⁶cm^-3。

17.权利要求1的方法，其中吸收层包含硒。

18.权利要求1至3中任一项的方法，其中吸收层的晶粒粒度在吸收层退火期间增大。

19.权利要求1至3和18中任一项的方法，其中V族盐为砷酸二氢铵。

20.权利要求1至3和18中任一项的方法，其中V族盐为磷酸氢二铵。

21.权利要求1至3和18中任一项的方法，其中V族元素为氮。

22.权利要求1至3和18中任一项的方法，其中V族元素为磷。

23.权利要求1至3和18至20中任一项的方法，其中V族元素为砷。

24.权利要求1至3和18中任一项的方法，其中V族元素为锑。

25.权利要求1至3和18中任一项的方法，其中V族元素为铋。