[发明专利]集成电路、DRAM电路和用于形成集成电路的方法

说明书

集成电路包含埋在衬底的半导体材料内的第一导电线。第一导电线包含在垂直截面中位于金属材料正上方并直接抵靠金属材料的导电掺杂的半导体材料。第二导电线位于半导电材料上方，并且在垂直截面中与第一导电线横向间隔开。第二导电线在垂直截面中包含金属材料。绝缘材料位于第一导电线和第二导电线正上方。第一导电通孔延伸穿过绝缘材料并穿过导电掺杂的半导体材料到第一导电线的金属材料。第二导电通孔延伸穿过绝缘材料到第二导电线的金属材料。公开了包括方法的其他实施例和方面。

技术领域

本文公开的实施例涉及集成电路、DRAM电路和用于形成集成电路的方法。

背景技术

存储器是集成电路的一种类型，并且在计算机系统中用于存储数据。存储器可以按单独的存储器单元的一或多个阵列制造。存储器单元可以使用数字线(也可以称为位线、数据线或感测线)和存取线(也可以称为字线)来写入或读取。感测线可以沿着阵列的列导电地互连存储器单元，并且存取线可以沿着阵列的行导电地互连存储器单元。每个存储器单元可以通过感测线和存取线的组合来唯一地进行寻址。

存储器单元可以是易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可以在没有电源的情况下长时间存储数据。传统上，非易失性存储器被指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器耗散，因此需要进行刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可能具有数毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元被配置为以至少两个不同的可选状态保持或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其他系统中，至少一些单独的存储器单元可以被配置为存储多于两个级别或状态的信息。

场效应晶体管是可以在存储器单元中使用的一种类型的电子部件。这些晶体管包含一对导电源极/漏极区域，在它们之间具有半导体沟道区域。导电栅极与沟道区域相邻，并通过薄栅极绝缘体与沟道区域分开。将适当的电压施加到栅极允许电流通过沟道区域从源极/漏极区域之一流到另一个。当从栅极去除电压时，很大程度上防止了电流流过沟道区域。场效应晶体管还可以包含附加结构，例如可逆可编程电荷存储区，作为栅极绝缘体和导电栅极之间的栅极构造的一部分。

附图说明

图1是根据本发明实施例的在处理中的衬底构造的一部分的示意性和局部截面图。

图2是根据本发明实施例的存储器单元的示意图。

图3是在图1所示的处理步骤之后的图1构造的视图。

图4是在图3所示的处理步骤之后的图3构造的视图。

图5是在图4所示的处理步骤之后的图4构造的视图。

图6是在图5所示的处理步骤之后的图5构造的视图。

图7是在图5所示的处理步骤之后的图5构造的视图。

图8是沿图7中的线8-8截取的视图。

图9是根据本发明实施例的在处理中的衬底构造的一部分的示意性和局部截面图。

图10是在图9所示的处理步骤之后的图9构造的视图。

图11是在图10所示的处理步骤之后的图10构造的视图。

具体实施方式

本发明的实施例涵盖用于形成集成电路(例如，DRAM电路)的方法。参考图1至11描述示例性实施例。