[发明专利]显示装置及电子设备

说明书

提供一种能够提高图像品质的显示装置。该显示装置包括第一电路、像素及布线。第一电路具有对布线供应数据的功能及使布线处于浮动状态而保持所述数据的功能。像素具有从布线取得数据两次而进行加法运算的功能，可以在布线被供应数据的期间进行第一次的数据写入且在布线保持所述数据的期间进行第二次的所述数据写入。由此，通过对源极线进行一次数据充电就可以对显示元件供应源极驱动器的输出电压以上的数据电位。

技术领域

本发明的一个方式涉及一种显示装置。

注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。因此，作为在本说明书中更具体地公开的本发明的一个方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。

注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管、半导体电路为半导体装置的一个方式。另外，存储装置、显示装置、摄像装置、电子设备有时包括半导体装置。

背景技术

作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知，作为其他材料，氧化物半导体受到关注。作为氧化物半导体，例如，已知除了如氧化铟、氧化锌等单元金属氧化物之外还有多元金属氧化物。在多元金属氧化物中，有关In-Ga-Zn氧化物(以下也称为IGZO)的研究尤为火热。

通过对IGZO的研究，在氧化物半导体中，发现了既不是单晶也不是非晶的CAAC(c-axis aligned crystalline：c轴取向结晶)结构及nc(nanocrystalline：纳米晶)结构(参照非专利文献1至非专利文献3)。非专利文献1及非专利文献2中公开了一种使用具有CAAC结构的氧化物半导体制造晶体管的技术。再者，非专利文献4及非专利文献5中公开了一种比CAAC结构及nc结构的结晶性更低的氧化物半导体中也具有微小的结晶。

将IGZO用于活性层的晶体管具有极低的关态电流(参照非专利文献6)，已知有利用了该特性的LSI及显示器(参照非专利文献7及非专利文献8)。

另外，专利文献1公开了一种具有将关态电流(off-state current)极低的晶体管用于存储单元的结构的存储装置。

[先行技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2011-119674号公报

[非专利文献]

[非专利文献1]S.Yamazaki et al.，“SID Symposium Digest of TechnicalPapers”，2012，volume 43，issue 1，p.183-186

[非专利文献2]S.Yamazaki et al.，“Japanese Journal of Applied Physics”，2014，volume 53，Number 4S，p.04ED18-1-04ED18-10

[非专利文献3]S.Ito et al.，“The Proceedings of AM-FPD’13 Digest ofTechnical Papers”，2013，p.151-154

[非专利文献4]S.Yamazaki et al.，“ECS Journal of Solid State Scienceand Technology”，2014，volume 3，issue 9，p.Q3012-Q3022