[发明专利]用于粘合剂的基于硅的保护膜、其生产方法及其用途

权利要求书

1.一种生产用于粘合或自粘合元件的基于硅的保护膜的方法，其特征在于，所述保护膜基于硅酮，并且具有小于或等于100ng/cm²的可提取硅酮水平，所述水平是通过以非挥发性的或挥发性的单体或低聚物形式释放的硅酮的量来测量，其中以非挥发性的单体或低聚物形式释放的硅酮的量根据IDEMA标准M7-98“作为非挥发性残留物(NVR)的有机污染物”,ECSS-Q-ST-70-05C“通过红外光谱法检测表面的有机污染物”,希捷20800032-001 Rev C.20800014-001 Rev G,西部数据2092-772141 Rev AD2092-771888 Rev AC测量，以挥发性的单体或低聚物形式释放的硅酮的量根据IDEMA标准M11-99“通过动态顶空分析法的一般排气测试程序”,希捷20800020-001 Rev N,西部数据2092-001026 Rev AC2092-771888Rev AC测量，提供至少一层基于硅酮的涂层，所述涂层旨在置于纸、织造或非织造织物、或塑料的基底上，所述方法包括以下步骤：

a)将所述基底从用于形成所述保护膜的等离子体涂覆室中的基底源移动到所述保护膜的收集点，

b)在腔室中、在选自包含环状特征基团的硅氧烷的至少一种硅酮前体的存在下将所述基底的第一面暴露于等离子体沉积，该腔室中存在由至少一种等离子体气体组成的气氛、以及所述等离子体气体的受介质阻挡控制的放电(DBD)，所述等离子体气体选自稀有气体或其混合物，其中，所述腔室中的气体气氛具有小于或等于50ppmv的氧含量，

c)在所述等离子体中由所述硅酮前体形成所述基于硅酮的涂层，以及

d)收集具备所述至少一个基于硅酮的涂层的所述保护膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护膜具有小于或等于50ng/cm²的可提取硅酮水平。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述保护膜具有小于或等于20ng/cm²的可提取硅酮水平。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护膜具有小于或等于10ng/cm²的可提取硅酮水平。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述保护膜具有小于或等于5ng/cm²的可提取硅酮水平。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述保护膜具有选自以下各项的以下特征中的至少一项：根据标准FTM10在Tesa^TM 7475粘合剂上测量的小于或等于2N/25mm的剥离力，根据标准FTM11测量的大于或等于80％的残余粘着率，具有在Krüss DSA25设备上测量的大于90°的水静态接触角的表面，根据欧文斯和温特模型通过两种液体的接触角测量结果计算出的小于30mN/m的表面能。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述两种液体为水和二碘甲烷。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述水静态接触角大于95°。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述水静态接触角大于100°。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述表面能小于25mN/m。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述表面能小于20mN/m。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述保护膜具有根据XPS/ESCA技术测量的小于或等于1at％的氮水平。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体气氛具有小于或等于20ppmv的氧含量。