[发明专利]互补光移相装置有效
申请号: | 201980008402.7 | 申请日: | 2019-01-14 |
公开(公告)号: | CN111602085B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
发明(设计)人: | 西恩·P·安德森;威普库马·帕特尔 | 申请(专利权)人: | 思科技术公司 |
主分类号: | G02F1/015 | 分类号: | G02F1/015 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 林强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 互补 光移相 装置 | ||
1.一种光移相装置,所述光移相装置包括:
第一光移相器,所述第一光移相器被配置为向光信号提供第一相移;
第二光移相器,所述第二光移相器被配置为除了所述第一相移之外还向所述光信号提供第二相移,其中总相移是所述第一相移和所述第二相移之和;以及
相位控制器,所述相位控制器被配置为,在所述光移相装置的开关时间段期间,以第一控制信号驱动所述第一光移相器,并且以第二控制信号驱动所述第二光移相器,
其中,所述第一相移达到预定义相移值需要上升时间,并且其中,所述总相移被配置为在比所述上升时间更短的时间段内达到所述预定义相移值。
2.根据权利要求1所述的光移相装置,其中,所述第一光移相器包括热光(TO)移相器,并且其中,所述第二光移相器包括电光(EO)移相器。
3.根据权利要求2所述的光移相装置,其中,所述电光(EO)移相器包括硅-绝缘体-硅电容(SISCAP)调制器、p-n结调制器和p-i-n结调制器中的一者。
4.根据权利要求1所述的光移相装置,其中,所述第一光移相器包括热光(TO)移相器,并且其中,所述第二光移相器包括光泵浦移相器。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光移相装置,其中,在所述开关时间段期间:
所述第一光移相器利用方形边缘信号来驱动;并且
所述第二光移相器利用脉冲信号来驱动,所述脉冲信号具有被选择为补偿所述第一光移相器的所述上升时间的衰减。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的光移相装置,其中,所述光信号沿着第一臂传播,所述光移相装置还包括:
环形谐振器,所述环形谐振器包括接近所述第一臂设置的波导,
其中,所述第一光移相器和所述第二光移相器接近所述波导布置。
7.根据权利要求6所述的光移相装置,其中,所述波导还接近第二臂布置,所述第二臂被配置为传播另一光信号。
8.一种光开关器件,所述光开关器件包括:
第一臂,所述第一臂被配置为传播第一光信号;
第二臂,所述第二臂被配置为传播第二光信号;
第一光移相器,所述第一光移相器接近所述第一臂布置,所述第一光移相器被配置为向所述第一光信号提供第一相移;
第二光移相器,所述第二光移相器接近所述第一臂布置,所述第二光移相器被配置为除了提供所述第一相移之外还向所述第一光信号提供第二相移,其中总相移是所述第一相移和所述第二相移之和;以及
相位控制器,所述相位控制器被配置为,在所述光开关器件的开关时间段期间,以第一控制信号驱动所述第一光移相器,并且以第二控制信号驱动所述第二光移相器,
其中,所述第一相移达到预定义相移值需要上升时间,并且其中,所述总相移被配置为在比所述上升时间更短的时间段内达到所述预定义相移值。
9.根据权利要求8所述的光开关器件,其中,所述第一光移相器包括热光(TO)移相器,并且其中,所述第二光移相器包括电光(EO)移相器。
10.根据权利要求9所述的光开关器件,其中,所述电光(EO)移相器包括硅-绝缘体-硅电容(SISCAP)调制器、p-n结调制器和p-i-n结调制器中的一者。
11.根据权利要求8所述的光开关器件,其中,所述第一光移相器包括热光(TO)移相器,并且其中,所述第二光移相器包括光泵浦移相器。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的光开关器件,其中,在所述开关时间段期间:
所述第一光移相器利用方形边缘信号来驱动;并且
所述第二光移相器利用脉冲信号来驱动,所述脉冲信号具有被选择为补偿所述第一光移相器的上升时间的衰减。
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