[发明专利]氧化物膜、氧化物膜的制造方法及含氮氧化物溅射靶

说明书

本发明提供一种氧化物膜、氧化物膜的制造方法及含氮氧化物溅射靶，所述氧化物膜的特征在于，将作为金属成分包含Al、Si及Zn的氧化物作为主相，并在0.5原子％以上且20原子％以下的范围内含有氮，所述氮以氮化物形式存在。优选氧化物膜的压痕硬度在700kgf/mm²以上且1500kgf/mm²以下的范围内。并且，优选在膜厚50nm下实施弯曲试验，弯曲试验之后的水蒸气透过率的降低率为30％以下且可见光透过率的降低率为5％以下。

技术领域

本发明涉及一种将作为金属成分包含Al、Si及Zn的氧化物作为主相的氧化物膜、该氧化物膜的制造方法及含氮氧化物溅射靶。

本申请主张基于2018年2月22日在日本申请的专利申请2018-029641号及2019年2月19日在日本申请的专利申请2019-027792号的优先权，并将该内容援用于此。

背景技术

以往，液晶显示元件、有机EL元件、太阳能电池等各种器件有可能因水分而导致劣化，因此设置有用于保护各种器件免受水蒸气影响的水蒸气阻挡膜。并且，对于上述水蒸气阻挡膜要求可见光的透过性高。

在此，上述各种器件中广泛使用由树脂形成的柔性基板。由树脂形成的柔性基板中，基板本身的水蒸气阻隔性低，因此对于上述水蒸气阻挡膜要求较高的水蒸气阻隔性。

专利文献1中公开有将氮化硅作为靶并且反应气体中使用氧来成膜SiO_xN_y(x/y：0.6～4.0)的薄膜的内容。

专利文献2中公开有一种无机阻挡层，所述无机阻挡层由Al、Si、氧及氮组成，Al原子与Si原子的重量比在15:85～40:60的范围内，氮相对于氧的摩尔比为10～40％。

专利文献3中公开有一种无机薄膜，所述无机薄膜由选自Si、Al、In、Sn、Ti及Zn中的至少一种氮化物及氧氮化物构成。

专利文献4中公开有一种阻挡层，所述阻挡层具备有机层、由氧化硅构成的第一无机层及由硅或铝的氧化物、硅或铝的酸氮化物构成的第二无机层。

专利文献5中公开有一种阻气层，所述阻气层由包含选自Al、Si、Ti、Zn、Zr、Nb、Sn、Hf、Ta及Ce的组中的至少一种金属的金属氧化物、金属氮化物及金属碳化物形成。

专利文献6中公开有一种非晶质透明氧化物膜，所述非晶质透明氧化物膜由包含Al、Si及Zn的氧化物形成。

专利文献1：日本特开2002-322561号公报(A)

专利文献2：日本特开2005-131863号公报(A)

专利文献3：日本特开2007-083493号公报(A)

专利文献4：日本特开2009-095989号公报(A)

专利文献5：日本特开2017-121721号公报(A)

专利文献6：日本专利第5884549号公报(B)

上述各种器件中，实现了进一步的柔韧化，并且要求具有比以往更优异的水蒸气阻隔性、可见光透过性及柔韧性的水蒸气阻挡膜。

在此，关于专利文献1中所记载的薄膜，膜中的氮含量变高，因此膜变得过硬而柔韧性不足。

并且，关于专利文献2中所记载的无机阻挡层，通过蒸镀法来成膜，膜密度低且水蒸气阻隔性差。并且，为了确保水蒸气阻隔性而较厚地成膜的情况下，柔韧性降低。

另外，关于专利文献3中所记载的无机薄膜，通过等离子体CVD法来成膜，氢在膜中的吸收较多，有可能降低水蒸气阻隔性。并且，膜中的氮含量高，因此膜变得过硬而柔韧性不足。