[发明专利]半导体装置及制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；

沟槽部，其被设置成从所述半导体基板的上表面到达所述漂移区，且在所述半导体基板的上表面沿排列方向排列有多个；以及

台面部，其是在所述半导体基板的内部被两个所述沟槽部夹持的区域，

所述沟槽部具有1个以上的栅极沟槽部和1个以上的虚设沟槽部，

与所述栅极沟槽部接触的至少一个所述台面部具有：

第一导电型的发射区，其被设置成在所述半导体基板的上表面露出并且与所述栅极沟槽部接触，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；

第一导电型的接触区，其在所述半导体基板的上表面露出，并且在排列方向上与所述发射区交替地配置；

第二导电型的基区，其设置于所述发射区和所述接触区的下方，且被设置成与所述栅极沟槽部接触；

第一导电型的蓄积区，其设置于所述基区的下方，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；以及

第二导电型的中间区域，其设置于所述基区的上端与所述蓄积区的下端之间的深度位置，

所述基区在所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布中具有第一峰，

所述中间区域在所述深度方向上的掺杂浓度分布中在从所述第一峰到所述沟槽部的下端的深度位置为止的部位具有第二峰和弯折部中的至少一方，

所述接触区与所述中间区域分离地配置，在所述接触区与所述中间区域之间设置有所述基区。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在设置有所述中间区域的深度位置处，所述台面部的在所述排列方向上的中央的第二导电型掺杂剂的掺杂浓度比与所述沟槽部接触的位置的第二导电型掺杂剂的掺杂浓度高。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述中间区域具有所述第二峰，

所述蓄积区在所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布中具有1个以上的峰，

所述第二峰配置在比所述蓄积区的最下侧的所述峰靠近上侧的位置。

4.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；

沟槽部，其被设置成从所述半导体基板的上表面到达所述漂移区，且在所述半导体基板的上表面沿排列方向排列有多个；以及

台面部，其是在所述半导体基板的内部被两个所述沟槽部夹持的区域，

所述沟槽部具有1个以上的栅极沟槽部和1个以上的虚设沟槽部，

与所述栅极沟槽部接触的至少一个所述台面部具有：

第一导电型的发射区，其被设置成在所述半导体基板的上表面露出并且与所述栅极沟槽部接触，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；

第二导电型的基区，其设置于所述发射区的下方，且被设置成与所述栅极沟槽部接触；

第一导电型的蓄积区，其设置于所述基区的下方，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；以及

第二导电型的中间区域，其设置于所述基区的上端与所述蓄积区的下端之间的深度位置，

所述基区在所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布中具有第一峰，

所述中间区域在所述深度方向上的掺杂浓度分布中在从所述第一峰到所述沟槽部的下端的深度位置为止的部位具有第二峰和弯折部中的至少一方，

在设置有所述中间区域的深度位置处，所述台面部的在所述排列方向上的中央的第二导电型掺杂剂的掺杂浓度比与所述沟槽部接触的位置的第二导电型掺杂剂的掺杂浓度高，

所述中间区域具有所述第二峰，

所述蓄积区在所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布中具有1个以上的峰，

所述第二峰配置在比所述蓄积区的最下侧的所述峰靠近上侧的位置，

所述第二峰配置在比所述蓄积区的最上侧的所述峰靠近上侧的位置。