[发明专利]全息图介质和光学元件

权利要求书

1.一种全息图介质，包括：聚合物基底，该聚合物基底包含硅烷类官能团位于支链中的聚合物树脂，

其中，在所述聚合物基底的至少一个表面上形成精细图案，

其中，所述精细图案具有包括两个或更多个精细突起的形状，所述精细突起的高度的最大值和高度的最小值基于所述聚合物基底的横截面交替重复，

其中，一个精细突起的高度的最大值与相邻精细突起的高度的最小值之间在所述聚合物基底的横截面方向上的距离的标准误差为20nm以下，

其中，所述聚合物基底包含：聚合物基质，该聚合物基质含有硅烷类官能团位于支链中的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物和硅烷交联剂之间的交联产物；和光反应性单体，

其中，所述硅烷交联剂包含重均分子量为100至2000的直链聚醚主链，和键合到该主链的末端或支链上的硅烷类官能团，

所述硅烷类官能团位于支链中的(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物包含硅烷类官能团位于支链中的(甲基)丙烯酸酯重复单元，所述硅烷类官能团位于支链中的(甲基)丙烯酸酯重复单元是由下面化学式1表示的重复单元：

[化学式1]

在化学式1中，R₁至R₃各自独立地是具有1至10个碳原子的烷基，R₄是氢或具有1至10个碳原子的烷基，R₅是具有1至10个碳原子的亚烷基。

2.根据权利要求1所述的全息图介质，

其中，一个精细突起的高度的最大值与相邻精细突起的高度的最小值之间在所述聚合物基底的横截面方向上的距离为0.2μm至2μm。

3.根据权利要求1所述的全息图介质，

振幅为5nm至50nm，所述振幅为一个精细突起的高度的最大值与相邻精细突起的高度的最小值之间的差。

4.根据权利要求1所述的全息图介质，

其中，在所述(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物中，所述硅烷类官能团的当量为300g/eq至2000g/eq。

5.根据权利要求1所述的全息图介质，

其中，基于100重量份的所述(甲基)丙烯酸酯类(共)聚合物，所述聚合物基质包含10重量份至90重量份的所述硅烷交联剂。

6.根据权利要求1所述的全息图介质，

其中，所述硅烷类官能团与所述聚醚主链之间的键合由氨基甲酸酯键介导。

7.根据权利要求1所述的全息图介质，

其中，所述硅烷交联剂中包含的所述硅烷类官能团的当量为200g/eq至1000g/eq。

8.根据权利要求1所述的全息图介质，

其中，所述光反应性单体包括多官能(甲基)丙烯酸酯单体或单官能(甲基)丙烯酸酯单体。

9.根据权利要求1所述的全息图介质，

其中，所述光反应性单体的折射率为1.5以上。

10.根据权利要求1所述的全息图介质，

其中，所述聚合物基底还包含氟类化合物。

11.根据权利要求10所述的全息图介质，

其中，所述氟类化合物包含选自醚基、酯基和酰胺基中的至少一个官能团，和至少两个二氟亚甲基。

12.根据权利要求10所述的全息图介质，

其中，所述氟类化合物的折射率小于1.45。

13.根据权利要求1所述的全息图介质，

其中，所述聚合物基质的折射率为1.46至1.53。

14.一种光学元件，包括权利要求1所述的全息图介质。