[发明专利]具有从切割边缘缩回的结的太阳能电池在审
申请号: | 201980005033.6 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN111448672A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 林亚福;戴维·雅各布 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/02;H01L31/036;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张娜;顾丽波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 切割 边缘 缩回 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
基板,所述基板具有光接收表面、背表面和侧壁;
所述基板中的发射极区,所述发射极区在所述基板的所述光接收表面处,所述发射极区具有从所述基板的所述侧壁横向缩回的侧壁;以及
钝化层,所述钝化层在所述发射极区的所述侧壁上。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述钝化层在所述发射极区的对应侧壁和所述基板的对应侧壁之间的对应凹陷部分中。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其中所述钝化层的对应边缘与所述基板的所述对应侧壁竖直对齐。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述钝化层在所述发射极区的对应侧壁和所述基板的对应侧壁之间的对应分离区中。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,进一步包括:
所述基板的所述光接收表面上的钝化层,其中所述发射极区的所述侧壁上的所述钝化层与所述基板的所述光接收表面上的所述钝化层连续。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其中所述基板的所述光接收表面上的所述钝化层和所述发射极区的所述侧壁上的所述钝化层包含氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述发射极区包含一定浓度的导电类型的掺杂物,所述太阳能电池进一步包括:
所述发射极区内的导电类型的掺杂物区域,所述导电类型的掺杂物区域的所述导电类型的掺杂物的浓度高于所述发射极区的所述导电类型的掺杂物的浓度。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中所述导电类型为n型,并且所述掺杂物选自由以下项组成的组:磷掺杂物和砷掺杂物。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池,进一步包括:
导电触点,所述导电触点电连接至所述发射极区内的所述导电类型的掺杂物区域。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中所述导电触点被丝网印刷并且烧制穿过所述基板的所述光接收表面上的钝化层。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中所述导电触点包含银。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述基板为p型单晶硅基板。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述发射极区包含n型掺杂物,所述太阳能电池进一步包括:
所述基板的所述背表面处的p型掺杂物区域。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池,进一步包括:
导电触点,所述导电触点电连接至所述基板的所述背表面处的所述p型掺杂物区域。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池,其中所述导电触点设置为穿过所述基板的所述背表面上的底部钝化和封盖层中的开口。
16.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:
在基板中形成发射极区,所述发射极区在所述基板的光接收表面处;
在所述发射极区中形成沟槽;
在所述基板的所述光接收表面上和所述沟槽中形成钝化层,以钝化发射极边缘;以及
切割所述基板以形成太阳能电池,所述太阳能电池具有侧壁和发射极区,所述发射极区具有从所述太阳能电池的所述侧壁横向缩回的侧壁。
17.根据权利要求16所述的方法,其中切割所述基板包括切割穿过所述沟槽中的所述钝化层。
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