[发明专利]一种半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括半导体发光序列，半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和两者之间的发光层；具有与第一导电类型半导体层电性连接的第一电极，与第二导电类型半导体层电性连接的第二电极；

其特征在于：所述第一导电类型半导体层包括铝镓铟磷窗口层，铝镓铟磷窗口层作为第一电极与第一导电类型半导体层形成接触的欧姆接触层，铝镓铟磷窗口层与第一电极形成接触的面的相反面作为出光表面，出光表面被不平整化处理；

所述铝镓铟磷窗口层中具有低电阻区域，低电阻区域位于第一电极形成接触的周围，并且电阻低于所述铝镓铟磷窗口层中的其它区域；

所述低电阻区域自第一电极与第一导电类型半导体层形成接触的位置延伸至铝镓铟磷窗口层的出光表面，不平整度不同于周围非低电阻区域的不平整度。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的低电阻区域是通过扩散金属或者离子注入的方式形成。

3.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的低电阻区域是通过第一电极具有的扩散金属扩散至所述铝镓铟磷窗口层中形成。

4.根据权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的离子注入的元素为带正电荷的离子。

5.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的第一电极和第二电极位于半导体发光序列的同侧。

6.根据权利要求1或2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：第二导电类型半导体层一侧具有多个开口，多个开口延伸至穿过第二导电类型半导体层、发光层至开口底部位于第一导电类型半导体层的铝镓铟磷窗口层，第一电极位于第二导电类型半导体层一侧并延伸至开口的底部形成多个第一电接触。

7.根据权利要求6所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第二电极覆盖第二导电类型半导体层侧，并露出所述的多个开口。

8.根据权利要求7所述的一种半导体发光元件，其特征在于：第二电极与第一电极之间、第一电极与多个开口侧壁之间通过绝缘层绝缘隔离。

9.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的铝镓铟磷窗口层为Al_x1Ga_1-x1InP，0.4＜x1≤1。

10.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：低电阻区域与周围的铝镓铟磷窗口层非低电阻区域为同质区。

11.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述的铝镓铟磷窗口层为Al_x1Ga_1-x1InP，x1介于0.6～0.8，厚度为2～6μm。

12.根据权利要求3所述的一种半导体发光元件，其特征在于：第二导电类型半导体层包括第二窗口层，所述的第二电极与第二窗口层之间通过多个接触点形成多个第二电接触。

13.根据权利要求12所述的一种半导体发光元件，其特征在于：任意一个第二电接触与临近一个第一电接触的距离为10～30um。

14.根据权利要求12或者13所述的一种半导体发光元件，其特征在于：任意两个相邻第二电接触之间的间距为5～40um，任意两个相邻第一电接触之间的间距为30～100um。

15.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述铝镓铟磷窗口层的方块电阻为0.01～1Ω/□。