[发明专利]安装结构体以及纳米粒子安装材料在审
| 申请号： | 201980003873.9 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111033703A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 日根清裕;北浦秀敏;古泽彰男 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;B22F7/08;B82Y10/00;C22C5/06;C22C9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 柯瑞京 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 安装 结构 以及 纳米 粒子 材料 | ||
1.一种安装结构体，包含：
半导体元件，其具有元件电极；
金属构件；以及
烧结体，其将所述半导体元件和所述金属构件接合，
所述烧结体包含：第一金属以及在所述第一金属中固溶的第二金属，
所述第二金属是在所述第一金属中的扩散系数大于所述第一金属的自扩散系数的金属，
相对于所述烧结体中的所述第一金属以及所述第二金属的质量合计的所述第二金属的含有率是所述第二金属向所述第一金属的固溶极限以下。
2.根据权利要求1所述的安装结构体，其中，
所述第一金属是Ag，
所述第二金属是Sn。
3.根据权利要求1所述的安装结构体，其中，
所述第一金属是Ag，
所述第二金属是Cu。
4.根据权利要求1所述的安装结构体，其中，
所述第一金属是Ag，
所述第二金属是Pb。
5.根据权利要求1所述的安装结构体，其中，
所述第一金属是Ag，
所述第二金属是Ge。
6.根据权利要求1所述的安装结构体，其中，
所述第一金属是Cu，
所述第二金属是Ge。
7.根据权利要求1所述的安装结构体，其中，
所述第一金属是Ag，
所述第二金属是Sn，
相对于所述烧结体的所述第一金属以及所述第二金属的质量合计的所述第二金属的含有率是7质量％以上且10质量％以下。
8.根据权利要求1所述的安装结构体，其中，
所述金属构件是引线框或者散热板。
9.一种纳米粒子安装材料，
至少含有：第一金属的纳米粒子以及在所述第一金属中固溶的第二金属的纳米粒子，
相对于所述第一金属的纳米粒子的全部个数的粒径为100nm以下的所述第一金属的纳米粒子的比例是50％以上，
所述第二金属的纳米粒子的平均粒径是100nm以下，
所述第二金属是在所述第一金属中的扩散系数大于所述第一金属的自扩散系数的金属，
相对于所述第一金属以及所述第二金属的质量合计的所述第二金属的质量比例是向所述第一金属的固溶极限以下。
10.根据权利要求9所述的纳米粒子安装材料，其中，
所述第一金属是Ag，
所述第二金属是Sn、Cu、Pb或Ge。
11.根据权利要求9所述的纳米粒子安装材料，其中，
所述第一金属是Cu，
所述第二金属是Ge。
12.根据权利要求9所述的纳米粒子安装材料，其中，
所述第一金属是Ag，
所述第二金属是Sn，
相对于所述第一金属以及所述第二金属的全部质量的所述第二金属的纳米粒子的质量比例是7质量％以上且10质量％以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
