[发明专利]一种TFT结构、发光件、显示器及其制备方法

权利要求书

1.一种TFT结构，其特征在于，包括：TFT底座、设置在所述TFT底座上的第一电极、第二电极；在竖直方向上，所述第一电极和所述第二电极具有高度差。

2.根据权利要求1所述的TFT结构，其特征在于，所述TFT底座包括：驱动电路层、设置在所述驱动电路层上的平坦层；所述平坦层上设置有第一通孔，所述第一电极位于所述第一通孔底部，所述第二电极位于所述平坦层上表面，且位于所述第一通孔边缘。

3.根据权利要求2所述的TFT结构，其特征在于，所述驱动电路层包括薄膜晶体管、设置在所述薄膜晶体管上的绝缘层；所述绝缘层上设置有第二通孔，所述绝缘层下与所述第二通孔对应位置设置有第一线路，所述第一电极延伸至所述第一通孔内并与所述第一线路电连接。

4.根据权利要求3所述的TFT结构，其特征在于，所述平坦层上设置有第三通孔，所述绝缘层上与所述第三通孔对应位置设置有第二线路，所述第二电极延伸至所述第三通孔并与所述第二线路电连接。

5.根据权利要求4所述的TFT结构，其特征在于，所述第一线路和所述第二线路垂直设置。

6.根据权利要求2所述的TFT结构，其特征在于，所述通孔为四棱台形通孔。

7.根据权利要求2所述的TFT结构，其特征在于，所述平坦层采用有机绝缘材料制成。

8.一种发光件，其特征在于，包括：在竖直方向上依次连接的P电极、P型半导体层、发光层、N型半导体层、衬底，与所述N型半导体层连接的N电极；在水平方向上，所述N电极位于所述发光层的侧面，在竖直方向上，所述P电极、所述N电极具有高度差。

9.根据权利要求8所述的发光件，其特征在于，所述N电极围绕所述发光层设置。

10.根据权利要求8所述的发光件，其特征在于，所述发光层为MQW层，所述衬底为蓝宝石衬底。

11.根据权利要求8所述的发光件，其特征在于，所述P型半导体层为P-GaN层，所述N型半导体层为N-GaN层；或者，所述N型半导体层、所述P型半导体层为铝镓砷化物、砷化镓磷化镓、铝镓铟磷化镓和磷化镓中的一种。

12.根据权利要求8所述的发光件，其特征在于，所述P电极、所述N电极之间高度差的差值为2-5μm。

13.一种显示器，其特征在于，包括：如权利要求1-7任意一项所述的TFT结构，如权利要求8-12任意一项所述的发光件；所述第一电极与所述P电极连接，所述第二电极与所述N电极连接。

14.一种如权利要求13所述的显示器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上依次制备N型半导体层、发光层、P型半导体层、P电极；

在所述N型半导体层上制备N电极得到发光件；其中，在水平方向上，所述N电极位于所述发光层的侧面，在竖直方向上，所述P电极、所述N电极具有高度差；

提供一驱动电路层；

在驱动电路层上依次制备第一电极和平坦层；其中，所述平坦层上设置有第一通孔，所述第一电极位于所述第一通孔底部；

在所述第一通孔边缘制备第二电极得到TFT结构；

将所述发光件和所述TFT结构连接。

15.根据权利要求14所述的显示器的制备方法，其特征在于，所述将所述发光件和所述TFT结构连接，包括：

采用雷射方式将所述第一电极与所述P电极连接，所述第二电极与所述N电极连接。