[发明专利]一种Micro LED芯片、显示面板及Micro LED芯片的焊接方法有效
| 申请号: | 201980003191.8 | 申请日: | 2019-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN111373554B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
| 发明(设计)人: | 陈靖中 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L25/075;H01L33/62;B23K26/21 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
| 地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 micro led 芯片 显示 面板 焊接 方法 | ||
1.一种Micro LED芯片,其特征在于,所述Micro LED芯片包括:
N型半导体层、P型半导体层、N型电极和P型电极,其中,所述N型电极设置在N型半导体层上,所述P型电极设置在所述P型半导体层上;
所述N型电极包含一条第一通路,所述第一通路设置于所述N型电极的中央,且贯穿所述N型电极;
所述P型电极包含一条第二通路,所述第二通路设置于所述P型电极的中央,且贯穿所述P型电极;
所述第一通路或者所述第二通路内设置有导通材料,所述导通材料为透光性的材料和/或耐高温的材料;
其中,所述Micro LED芯片还包括活跃层,所述活跃层位于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间;所述活跃层包括氮化镓材料,所述N型半导体层包括N型氮化镓材料,且所述P型半导体层包括P型氮化镓材料。
2.根据权利要求1所述的Micro LED芯片,其特征在于,所述Micro LED芯片包括:
所述第一通路和所述第二通路内设置有同一种导通材料。
3.根据权利要求1所述的Micro LED芯片,其特征在于,所述Micro LED芯片包括:
所述第一通路设置有第一导通材料,所述第二通路设置有第二导通材料,所述第一导通材料与所述第二导通材料不同。
4.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板焊接有权利要求1至3任一项所述MicroLED芯片;
所述显示面板其中一个端面的上方依次设置焊料和所述Micro LED芯片;
所述焊料被穿过第一通路及第二通路后的激光束照射融化,并在冷凝后将所述MicroLED芯片及显示面板连接在一起。
5.一种Micro LED芯片的焊接方法,其特征在于,将权利要求1至3中任一项所述的Micro LED芯片焊接到显示面板上,所述方法包括:
在所述Micro LED芯片的N型电极和P型电极的表面设置焊料;
将设置有焊料的所述Micro LED芯片转移至显示面板上方;
在所述Micro LED芯片转移至所述显示面板上方后,控制激光束穿过第一通路和第二通路照射到焊料上,使所述焊料融化,并在冷凝后将所述Micro LED芯片及显示面板连接在一起。
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