[发明专利]一种磊晶结构及其制备方法、LED

权利要求书

1.一种磊晶结构，其特征在于，包括：依次设置的蓝宝石衬底、GaN层、缺陷暴露层、缺陷终止层；所述缺陷暴露层用于扩大所述GaN层的缺陷的开口，所述缺陷终止层用于改变所述缺陷的方向，以终止所述缺陷继续扩大；所述缺陷为V形坑。

2.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述GaN层为高温无掺杂GaN层，所述缺陷暴露层为低温无掺杂GaN层或低温无掺杂InGaN层，所述缺陷终止层为岛状掺杂GaN层。

3.根据权利要求2所述的磊晶结构，其特征在于，所述岛状掺杂GaN层为岛状硅掺杂GaN层或岛状镁掺杂GaN层，所述岛状掺杂GaN层的掺杂浓度大于10¹⁹cm^-3。

4.根据权利要求1所述的磊晶结构，其特征在于，所述磊晶结构还包括：依次设置在所述缺陷终止层上的n型GaN层、发光层、EBL层、p型GaN层。

5.一种LED，其特征在于，包括：如权利要求1-4任意一项所述的磊晶结构。

6.一种如权利要求1-4任意一项所述的磊晶结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一蓝宝石衬底，并在所述蓝宝石衬底上生长GaN层；

在所述GaN层上生长缺陷暴露层；

在所述缺陷暴露层上生长缺陷终止层。

7.根据权利要求6所述的磊晶结构的制备方法，其特征在于，所述在所述蓝宝石衬底上生长GaN层，包括：

在所述蓝宝石衬底上生长非晶GaN；

对所述非晶GaN进行加热处理得到单晶GaN；其中，所述加热处理的温度为950-1050℃；

以所述单晶GaN为晶种生长得到GaN层。

8.根据权利要求6所述的磊晶结构的制备方法，其特征在于，所述在所述GaN层上生长缺陷暴露层，包括：

在所述GaN层上生长GaN或InGaN得到缺陷暴露层；其中，所述生长GaN或InGaN的温度为600-800℃，V-III比为1000-2500；

所述在所述缺陷暴露层上生长缺陷终止层，包括：

在所述缺陷暴露层上生长掺杂GaN得到缺陷终止层；其中，所述生长掺杂GaN的温度为1000-1100℃，V-III比为4500-7500。

9.根据权利要求8所述的磊晶结构的制备方法，其特征在于，所述生长掺杂GaN中采用硅或镁掺杂，掺杂浓度大于10¹⁹cm^-3。

10.根据权利要求6所述的磊晶结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述缺陷终止层上依次生长n型GaN层、发光层、EBL层、p型GaN层。