[发明专利]利用虚设存储块作为池电容器的非易失性存储器件

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

多个存储块，被分组到页面中，其中，至少一个所述存储块是虚设块；

页面缓冲区域，对应于所述多个存储块的所述页面；以及

外围电路区域，用于支持所述多个存储块的所述页面的操作，其中，所述外围电路区域包括多个池电容器，其中，所述虚设块被配置为形成补充池电容器，并且所述虚设块位于存储器阵列中，而不位于所述外围电路区域中，并且其中所述多个池电容器和所述补充池电容器被配置为一起用于抑制功率噪声。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述虚设块包括衬底和在所述衬底上的交替层堆叠体。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述交替层堆叠包括交替层叠在彼此上的多个导电层和多个电介质层。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述虚设块还包括：

在所述虚设块的两个相对端处的阶梯结构；以及

设置在所述阶梯结构上并电连接到所述多个导电层的触点。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，所述多个导电层经由设置在所述阶梯结构上的所述触点依次且交替地偏置到电源和地电位，从而在所述多个导电层之间形成电容器，其中，所述多个电介质层用作电容器电介质。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述电源包括内部电源或外部电源。

7.根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，所述多个导电层中的至少两个相邻的导电层经由设置在所述阶梯结构上的所述触点被偏置到相同的电源。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述虚设块设置在所述多个存储块的所述页面中的每个页面的边缘处。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述虚设块被分成多个子块。

10.一种非易失性存储器件，包括：

多个存储块，被分组到页面中，其中，至少一个所述存储块是虚设块，所述虚设块被配置为形成补充池电容器，并且所述虚设块位于存储器阵列中，而不位于包括多个池电容器的外围电路区域中，并且其中所述多个池电容器和所述补充池电容器被配置为一起用于抑制功率噪声。