[发明专利]发光装置在审
| 申请号： | 201980000941.6 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110249437A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 金譿认;孙正勳 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光芯片 波长转换部件 发光装置 反射部件 阻隔部件 基板 侧面 上表面 外壁部 贴装 覆盖 | ||
1.一种发光装置，其中，包括：
基板；
第一发光芯片，贴装于所述基板上；
第一波长转换部件，覆盖所述第一发光芯片的上表面；
第一反射部件，覆盖所述第一波长转换部件的侧面；及
阻隔部件，包括围绕所述第一发光芯片及所述第一反射部件的侧面的外壁部。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的外壁部的上部从上表面朝下部方向，厚度逐渐变厚。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的上表面是平坦的。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述基板上贴装有多个所述第一发光芯片。
5.如权利要求4所述的发光装置，其中，位于所述第一发光芯片和所述基板的侧面之间的所述阻隔部件的外壁部的上部从上表面朝下部方向，厚度逐渐变厚，
位于所述第一发光芯片之间的所述阻隔部件的内壁部的上部是凸起的。
6.如权利要求5所述的发光装置，其中，所述阻隔部件的所述外壁部的填料含量比所述内壁部的填料含量更高。
7.如权利要求4所述的发光装置，其中，每个所述第一发光芯片形成有所述第一波长转换部件及所述第一反射部件。
8.如权利要求7所述的发光装置，其中，所述第一反射部件与相邻的第一反射部件彼此相隔。
9.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射部件覆盖所述波长转换部件的侧面及所述第一发光芯片的侧面。
10.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一反射部件由银(Ag)和铝(Al)中的至少一个构成。
11.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件的宽度大于所述第一发光芯片的宽度或与所述第一发光芯片的宽度相同。
12.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件是在环氧树脂、硅树脂、玻璃、陶瓷中的一个中含有波长转换物质的部件。
13.如权利要求12所述的发光装置，其中，所述第一波长转换部件还包括反射物质。
14.如权利要求1所述的发光装置，其中，还包括覆盖所述阻隔部件的上表面的第二反射部件。
15.如权利要求14所述的发光装置，其中，所述第二反射部件配置为与所述第一反射部件的上表面接触。
16.如权利要求15所述的发光装置，其中，所述第二反射部件覆盖所述第一反射部件的上表面，或沿所述第一反射部件的上表面的边缘而形成，并覆盖所述阻隔部件的上表面的一部分。
17.如权利要求15所述的发光装置，其中，所述第二反射部件覆盖所述阻隔部件的整个上表面，或覆盖所述阻隔部件的整个上表面及所述第一反射部件的上表面。
18.如权利要求14所述的发光装置，其中，所述第二反射部件由银(Ag)和铝(Al)中至少一个构成。
19.如权利要求1所述的发光装置，其中，所述基板是包括绝缘层及电路图案的电路基板。
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