[发明专利]检测芯片及其使用方法、反应系统有效

专利信息
申请号: 201980000441.2 申请日: 2019-03-29
公开(公告)号: CN111699043B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 吴志鸿;赵子健;殷雨丹;侯孟军;彭康 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;G01N33/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 检测 芯片 及其 使用方法 反应 系统
【权利要求书】:

1.一种检测芯片,包括:

第一基板;

微腔限定层,位于所述第一基板上,且限定多个微反应室;

加热电极,位于所述第一基板上且相比于所述微腔限定层更靠近所述第一基板,配置为对所述多个微反应室加热;

其中,所述多个微反应室在所述第一基板上的正投影位于所述加热电极在所述第一基板上的正投影内,

所述检测芯片还包括多个控制电极,所述多个控制电极配置为从所述加热电极的不同的位置同时向所述加热电极施加电信号。

2.根据权利要求1所述的检测芯片,其中,所述多个微反应室中每个包括反应阱,所述反应阱包括侧壁和底部。

3.根据权利要求1或2所述的检测芯片,其中,所述多个微反应室在所述第一基板上阵列排布。

4.根据权利要求2所述的检测芯片,还包括亲水层,

其中,所述亲水层覆盖所述多个微反应室中每个的侧壁和底部。

5.根据权利要求4所述的检测芯片,其中,所述亲水层还覆盖所述微腔限定层的远离所述第一基板的表面。

6.根据权利要求4或5所述的检测芯片,还包括:

第二基板,与所述第一基板相对设置;

疏水层,位于所述第二基板面向所述第一基板的一侧;

其中,所述微腔限定层位于所述第一基板面向所述第二基板的一侧。

7.根据权利要求6所述的检测芯片,还包括控制电极,

其中,所述控制电极位于所述第一基板上且与所述加热电极通过过孔电连接或搭接,所述控制电极配置为向所述加热电极施加电信号。

8.根据权利要求7所述的检测芯片,还包括第一绝缘层,

其中,所述第一绝缘层覆盖所述控制电极,所述加热电极位于所述第一绝缘层上,

所述第一绝缘层包括贯穿所述第一绝缘层的所述过孔,所述加热电极通过所述过孔与所述控制电极电连接。

9.根据权利要求1或2所述的检测芯片,还包括第二绝缘层,

其中,所述第二绝缘层位于所述加热电极与所述微腔限定层之间。

10.根据权利要求8所述的检测芯片,其中,所述第一基板包括反应区域和周边区域,

所述周边区域至少部分围绕所述反应区域,

所述反应区域包括功能区域,

所述微腔限定层位于所述功能区域中,所述控制电极和所述过孔位于所述周边区域中,所述加热电极位于所述反应区域和所述周边区域中。

11.根据权利要求10所述的检测芯片,还包括多个垫隔物,

其中,所述多个垫隔物位于所述周边区域中,且位于所述第一基板和所述第二基板之间,

所述多个垫隔物配置为保持所述第一基板和所述第二基板之间的间距。

12.根据权利要求11所述的检测芯片,其中,在垂直于所述第一基板的方向上,所述垫隔物的高度大于所述微腔限定层的高度。

13.根据权利要求10-12任一所述的检测芯片,还包括进样口和出样口,

其中,所述反应区域还包括非功能区域,

所述进样口和所述出样口均位于所述非功能区域,且位于所述功能区域的不同侧,

所述进样口和所述出样口均贯穿所述第二基板和所述疏水层。

14.根据权利要求6所述的检测芯片,其中,所述第一基板和所述第二基板均为玻璃基板。

15.根据权利要求6所述的检测芯片,其中,所述亲水层的材料包括硅氧化物,所述疏水层的材料包括树脂或硅氮化物。

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