[发明专利]三维存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，包括：

衬底；

存储堆叠体，包括在所述衬底上的交错的导电层和电介质层；

阶梯结构，在所述存储堆叠体的一侧上；

阶梯接触部，在所述阶梯结构中；以及

多个虚设源极结构，每一个虚设源极结构垂直延伸穿过所述阶梯结构，所述多个虚设源极结构围绕所述阶梯接触部；

围绕所述阶梯接触部的多个虚设沟道结构，每一个虚设沟道结构垂直延伸穿过所述阶梯结构。

2.如权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述多个虚设源极结构设置为与所述阶梯接触部相邻。

3.如权利要求1或2所述的三维存储器件，其中，所述多个虚设源极结构中的至少两个虚设源极结构到所述阶梯接触部的横向距离标称上相等。

4.如权利要求1或2所述的三维存储器件，其中，所述多个虚设源极结构到所述阶梯接触部的横向距离标称上相等。

5.如权利要求1或2所述的三维存储器件，其中，在平面图中，所述多个虚设源极结构中的至少两个虚设源极结构布置在沿着第一横向方向延伸的第一行中。

6.如权利要求5所述的三维存储器件，其中，在所述平面图中，至少两个其他虚设源极结构布置在第二行中，所述第二行沿着正交于所述第一横向方向的第二横向方向延伸。

7.如权利要求5所述的三维存储器件，其中，所述多个虚设沟道结构到所述阶梯接触部的横向距离标称上相等。

8.如权利要求5所述的三维存储器件，其中，在所述平面图中，所述多个虚设源极结构与所述多个虚设沟道结构交错。

9.如权利要求6所述的三维存储器件，其中，在所述平面图中，所述多个虚设沟道结构中的至少两个虚设沟道结构布置在第三行中，所述第三行沿着与所述第一横向方向或所述第二横向方向平行的第三横向方向延伸。

10.如权利要求1或2所述的三维存储器件，包括第一阶梯接触部和第二阶梯接触部，其中，至少一个虚设源极结构设置于所述第一阶梯接触部和所述第二阶梯接触部之间。

11.如权利要求10所述的三维存储器件，其中，至少两个虚设源极结构设置于所述第一阶梯接触部和所述第二阶梯接触部之间。

12.如权利要求1或2所述的三维存储器件，其中，至少一个虚设源极结构包括与所述衬底接触的导体层。

13.如权利要求12所述的三维存储器件，其中，所述至少一个虚设源极结构包括沿着所述导体层的侧壁围绕所述导体层的间隔物，所述间隔物包括电介质材料。

14.如权利要求1或2所述的三维存储器件，其中，所述多个虚设源极结构与所述衬底接触。

15.如权利要求1或2所述的三维存储器件，其中，所述多个虚设源极结构不与所述衬底接触。

16.一种三维存储器件，包括：

衬底；

存储堆叠体，包括在所述衬底上的交错的导电层和电介质层；

阶梯结构，在所述存储堆叠体的一侧上；

虚设沟道结构的阵列，每一个虚设沟道结构垂直延伸穿过所述阶梯结构；以及

多个虚设源极结构，每一个虚设源极结构垂直延伸穿过所述阶梯结构，其中，所述虚设沟道结构的子集由所述多个虚设源极结构围绕。

17.如权利要求16所述的三维存储器件，其中，至少一个虚设沟道结构由至少四个虚设源极结构围绕。